一种半导体设备的漏率检测装置及检测方法

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专利类型
发明
申请号
CN202110430802.6
申请日
2021-04-21
公开(公告)号
CN113176045B
公开(公告)日
2021-07-27
发明(设计)人
王会会 林保璋 金補哲 高东铉
申请人
申请人地址
315100 浙江省宁波市鄞州区云龙镇石桥村
IPC主分类号
G01M320
IPC分类号
代理机构
北京维正专利代理有限公司 11508
代理人
温开瑞
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体工艺设备反应腔体的漏率检测方法及装置 [P]. 
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[3]
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[5]
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[9]
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[10]
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