一种工艺腔室漏率检测方法、半导体工艺设备

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202011273465.6
申请日
2020-11-13
公开(公告)号
CN112484922A
公开(公告)日
2021-03-12
发明(设计)人
方林
申请人
申请人地址
100176 北京市大兴区北京经济技术开发区文昌大道8号
IPC主分类号
G01M300
IPC分类号
C23C1454
代理机构
北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319
代理人
莎日娜
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体工艺设备的工艺腔室及半导体工艺设备 [P]. 
田西强 .
中国专利 :CN112813419A ,2021-05-18
[2]
半导体工艺设备的工艺腔室及半导体工艺设备 [P]. 
刘胜明 ;
郑波 ;
荣延栋 .
中国专利 :CN113241312A ,2021-08-10
[3]
半导体工艺设备的工艺腔室及半导体工艺设备 [P]. 
刘胜明 ;
郑波 ;
荣延栋 .
中国专利 :CN113241312B ,2025-07-29
[4]
工艺腔室、半导体工艺设备和半导体工艺方法 [P]. 
迟文凯 ;
王勇飞 .
中国专利 :CN113972154A ,2022-01-25
[5]
半导体工艺腔室和半导体工艺设备 [P]. 
文莉辉 .
中国专利 :CN113437012A ,2021-09-24
[6]
半导体工艺腔室和半导体工艺设备 [P]. 
陈兆滨 .
中国专利 :CN114361000A ,2022-04-15
[7]
半导体工艺腔室、半导体工艺设备和半导体工艺方法 [P]. 
王勇飞 ;
佘清 ;
兰云峰 .
中国专利 :CN113718229A ,2021-11-30
[8]
半导体工艺腔室及半导体工艺设备 [P]. 
戎艳天 ;
张宝辉 .
中国专利 :CN111640641A ,2020-09-08
[9]
半导体工艺腔室和半导体工艺设备 [P]. 
王福金 ;
蔡志辉 .
中国专利 :CN216738518U ,2022-06-14
[10]
半导体工艺腔室及半导体工艺设备 [P]. 
郭春 .
中国专利 :CN119890115A ,2025-04-25