半导体器件

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202110445269.0
申请日
2021-04-25
公开(公告)号
CN113903741A
公开(公告)日
2022-01-07
发明(设计)人
柳丞昱 孙成勋 李起洪
申请人
申请人地址
韩国京畿道
IPC主分类号
H01L27108
IPC分类号
H01L23532
代理机构
北京弘权知识产权代理有限公司 11363
代理人
王建国;许伟群
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体器件 [P]. 
加藤清 ;
长塚修平 ;
井上广树 ;
松崎隆德 .
中国专利 :CN102725842B ,2012-10-10
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半导体器件 [P]. 
水岛宏明 .
中国专利 :CN101673745A ,2010-03-17
[3]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
西乡薰 ;
永井孝一 .
中国专利 :CN1901146A ,2007-01-24
[4]
半导体器件和半导体器件组件 [P]. 
辻内干夫 ;
多留谷政良 ;
竹内阳介 .
中国专利 :CN102208429A ,2011-10-05
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半导体器件 [P]. 
辻高晴 .
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[6]
半导体器件 [P]. 
鹤田环 ;
加藤多实结 .
中国专利 :CN105788638A ,2016-07-20
[7]
半导体器件 [P]. 
河原尊之 ;
竹村理一郎 ;
伊藤显知 ;
高桥宏昌 .
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半导体器件 [P]. 
森保孝宪 ;
吉原和雄 ;
神田明彦 ;
浅井良彦 ;
小川大也 .
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半导体器件 [P]. 
石井雄一郎 .
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[10]
半导体器件 [P]. 
王屏薇 ;
陈瑞麟 .
中国专利 :CN119342801A ,2025-01-21