一种高致密度TiB2陶瓷靶材的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710774612.X

申请日：

2017-08-31

公开(公告)号：

CN107746280A

公开(公告)日：

2018-03-02

发明(设计)人：

张凤戈张欠男梁俊才李建奎魏铁峰

申请人：

申请人地址：

100081 北京市海淀区学院南路76号17幢一层101室

IPC主分类号：

C04B3558

IPC分类号：

C04B35622 C04B35645 C04B35626

代理机构：

北京五洲洋和知识产权代理事务所(普通合伙) 11387

代理人：

刘春成;荣红颖

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-03-27	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C04B 35/58 申请日:20170831
2018-03-02	公开	公开
2020-07-07	授权	授权

共 50 条

[1]

高致密单相TiB2陶瓷的快速制备方法 [P].

张久兴 ;

周身林 ;

张皓琨 ;

刘丹敏 ;

包黎红 ;

马汝广 .

中国专利 :CN101508572B ,2009-08-19

[2]

一种高致密度AZO靶材的制备方法 [P].

刘苗 ;

孙本双 ;

何季麟 ;

刘洋 ;

王之君 ;

陈杰 ;

曾学云 .

中国专利 :CN120817800A ,2025-10-21

[3]

一种高致密度AZO靶材的制备方法 [P].

李召阳 ;

李彬 ;

李继文 ;

上官林建 ;

聂福全 ;

贾铁昆 ;

任二洲 ;

卢艳阳 ;

宋伟志 ;

牛一旭 ;

高雪 .

中国专利 :CN118324539A ,2024-07-12

[4]

高致密度氧化锌基靶材及其制备方法 [P].

张凤戈 ;

高明 ;

唐培新 ;

张路长 ;

郝权 ;

缪磊 ;

王江廷 ;

姜海 ;

姚伟 .

中国专利 :CN104416160B ,2015-03-18

[5]

一种高致密ZrC陶瓷靶材的制备方法 [P].

李俊国 ;

王博 ;

杨海涛 ;

沈强 ;

张联盟 .

中国专利 :CN104844215A ,2015-08-19

[6]

一种高致密度ZrB2陶瓷的制备方法 [P].

王星明 ;

杨磊 ;

桂涛 ;

白雪 ;

刘宇阳 ;

储茂友 ;

彭程 .

中国专利 :CN107445625A ,2017-12-08

[7]

高致密度AZO靶材及其制备方法 [P].

王铁军 ;

张凤戈 ;

唐培新 ;

高明 ;

张路长 ;

姚惠龙 ;

缪磊 ;

王江廷 ;

孙右文 .

中国专利 :CN104418592A ,2015-03-18

[8]

一种MoS2陶瓷靶材的制备方法 [P].

张凤戈 ;

张欠男 ;

梁俊才 ;

魏铁峰 ;

李建奎 .

中国专利 :CN108059459A ,2018-05-22

[9]

一种大尺寸、高致密度钼靶材的制备方法 [P].

姚力军 ;

潘杰 ;

周友平 ;

孙慧芳 ;

吴东青 .

中国专利 :CN115502403A ,2022-12-23

[10]

一种高致密度的银靶材的制备方法 [P].

唐安泰 ;

唐智勇 ;

程波 .

中国专利 :CN116804268B ,2025-05-30

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