薄膜及其形成方法以及具备该薄膜的半导体发光元件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201080045493.0

申请日：

2010-10-07

公开(公告)号：

CN102575341A

公开(公告)日：

2012-07-11

发明(设计)人：

大见忠弘浅原浩和井口敦智

申请人：

申请人地址：

日本宫城县

IPC主分类号：

C23C1640

IPC分类号：

C23C16511 H01L21365 H01L3342

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

金世煜;苗堃

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-11-21	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101349734060 IPC(主分类):C23C 16/40 专利申请号:2010800454930 申请日:20101007
2014-08-27	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101704523761 IPC(主分类):C23C 16/40 专利申请号:2010800454930 申请公布日:20120711
2012-07-11	公开	公开
2012-12-12	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101481353172 IPC(主分类):C23C 16/40 专利申请号:2010800454930 变更事项:申请人变更前权利人:国立大学法人东北大学变更后权利人:国立大学法人东北大学变更事项:地址变更前权利人:日本宫城县变更后权利人:日本宫城县变更事项:申请人变更前权利人:罗姆股份有限公司;东京毅力科创株式会社变更后权利人:东京毅力科创株式会社登记生效日:20121107

共 50 条

[1]

薄膜形成方法及半导体发光元件的制造方法 [P].

木户口勋 ;

足立秀人 ;

大西俊一 .

中国专利 :CN1123064C ,2001-03-14

[2]

化合物系薄膜及其形成方法、以及使用该薄膜的电子装置 [P].

大见忠弘 ;

浅原浩和 ;

井口敦智 ;

绵贯耕平 .

中国专利 :CN101681817A ,2010-03-24

[3]

半导体发光元件、该半导体发光元件的制造方法以及使用该半导体发光元件的灯 [P].

中山德行 ;

阿部能之 .

中国专利 :CN101960625B ,2011-01-26

[4]

半导体薄膜的形成方法和半导体薄膜的形成装置 [P].

松村正清 ;

西谷幹彥 ;

木村嘉伸 ;

十文字正之 ;

谷口幸夫 ;

平松雅人 ;

中野文樹 .

中国专利 :CN100442440C ,2003-09-10

[5]

半导体薄膜结构以及其形成方法 [P].

尹义埈 ;

河信雨 .

中国专利 :CN103608897B ,2014-02-26

[6]

半导体薄膜的形成方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN112420486A ,2021-02-26

[7]

半导体发光元件的制造方法以及半导体发光元件 [P].

樱井哲朗 .

中国专利 :CN102265415A ,2011-11-30

[8]

半导体薄膜、半导体薄膜的制备方法和半导体元件 [P].

井上一吉 ;

宇都野太 ;

本田克典 .

中国专利 :CN103274608A ,2013-09-04

[9]

半导体薄膜、半导体薄膜的制备方法和半导体元件 [P].

井上一吉 ;

宇都野太 ;

本田克典 .

中国专利 :CN101679036A ,2010-03-24

[10]

半导体发光元件的制造方法、半导体发光元件和具备该元件的灯 [P].

塙健三 ;

横山泰典 .

中国专利 :CN101421854B ,2009-04-29

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