化合物系薄膜及其形成方法、以及使用该薄膜的电子装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200880017388.9

申请日：

2008-05-02

公开(公告)号：

CN101681817A

公开(公告)日：

2010-03-24

发明(设计)人：

大见忠弘浅原浩和井口敦智绵贯耕平

申请人：

申请人地址：

日本宫城县

IPC主分类号：

H01L21205

IPC分类号：

C23C16511 H01L21336 H01L21365 H01L29786 H01L3104 H01L3300

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

蒋亭;苗堃

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-11-14	授权	授权
2015-06-17	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101614379846 IPC(主分类):H01L 21/205 专利号:ZL2008800173889 申请日:20080502 授权公告日:20121114 终止日期:20140502
2010-07-21	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101003930370 IPC(主分类):H01L 21/205 专利申请号:2008800173889 申请日:20080502
2013-08-21	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101652054261 IPC(主分类):H01L 21/205 专利号:ZL2008800173889 变更事项:专利权人变更前权利人:国立大学法人东北大学变更后权利人:国立大学法人东北大学变更事项:地址变更前权利人:日本宫城县变更后权利人:日本宫城县变更事项:专利权人变更前权利人:罗姆股份有限公司;东京毅力科创株式会社;宇部兴产株式会社变更后权利人:东京毅力科创株式会社登记生效日:20130730
2010-03-24	公开	公开

共 50 条

[1]

薄膜及其形成方法以及具备该薄膜的半导体发光元件 [P].

大见忠弘 ;

浅原浩和 ;

井口敦智 .

中国专利 :CN102575341A ,2012-07-11

[2]

钌化合物、薄膜形成用原料以及薄膜的制造方法 [P].

吉野智晴 ;

远津正挥 ;

冈田奈奈 ;

畑濑雅子 .

中国专利 :CN111344294A ,2020-06-26

[3]

铪系化合物、形成铪系薄膜的材料和形成铪系薄膜的方法 [P].

平木忠明 ;

三桥智 ;

太附圣 ;

椿谷晓人 ;

金炳洙 ;

刘升镐 .

中国专利 :CN101341155B ,2009-01-07

[4]

化合物薄膜形成装置 [P].

伊藤弘基 .

中国专利 :CN87107161A ,1988-05-11

[5]

醇盐化合物、薄膜形成用原料、薄膜的形成方法和醇化合物 [P].

樱井淳 ;

畑濑雅子 ;

吉野智晴 ;

远津正挥 .

中国专利 :CN106660946B ,2017-05-10

[6]

薄膜形成装置以及薄膜形成方法 [P].

德安良纪 ;

山本英明 ;

渡濑直树 ;

松井淳一 ;

中村秀男 .

中国专利 :CN102826762B ,2012-12-19

[7]

钌化合物及其制造方法以及采用该化合物得到的含钌薄膜 [P].

平社英之 ;

石川雅之 ;

柳泽明男 ;

小木胜实 .

中国专利 :CN1886412A ,2006-12-27

[8]

镧化合物以及使用该镧化合物形成薄膜和集成电路器件的方法 [P].

朴圭熙 ;

金润洙 ;

林载顺 ;

曹仑廷 ;

原野一树 ;

佐藤晴义 ;

白鸟翼 ;

山田直树 .

中国专利 :CN110272438A ,2019-09-24

[9]

薄膜形成用原料、薄膜的制造方法以及新型化合物 [P].

西田章浩 ;

冈田奈奈 ;

大江佳毅 .

中国专利 :CN110799665A ,2020-02-14

[10]

薄膜形成用原料、薄膜的制造方法以及新型化合物 [P].

西田章浩 ;

冈田奈奈 ;

大江佳毅 .

日本专利 :CN110799665B ,2025-10-24

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