钌化合物、薄膜形成用原料以及薄膜的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201880072963.9

申请日：

2018-07-27

公开(公告)号：

CN111344294A

公开(公告)日：

2020-06-26

发明(设计)人：

吉野智晴远津正挥冈田奈奈畑濑雅子

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

C07F1500

IPC分类号：

C23C1618 H01L2128 H01L21285

代理机构：

北京品源专利代理有限公司 11332

代理人：

吕琳;朴秀玉

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-06-26	公开	公开
2020-08-25	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C07F 15/00 申请日:20180727

共 50 条

[1]

薄膜形成用原料、薄膜的制造方法以及新型化合物 [P].

西田章浩 ;

冈田奈奈 ;

大江佳毅 .

中国专利 :CN110799665A ,2020-02-14

[2]

薄膜形成用原料、薄膜的制造方法以及新型化合物 [P].

西田章浩 ;

冈田奈奈 ;

大江佳毅 .

日本专利 :CN110799665B ,2025-10-24

[3]

金属化合物、薄膜形成用原料及薄膜的制造方法 [P].

樱井淳 ;

山田直树 .

中国专利 :CN1898192A ,2007-01-17

[4]

CVD用原料化合物以及钌或钌化合物薄膜的化学气相蒸镀方法 [P].

齐藤昌幸 ;

寒江威元 .

中国专利 :CN1451780A ,2003-10-29

[5]

锌化合物、薄膜形成用原料、薄膜及其制造方法 [P].

福岛亮太 ;

武田圭介 ;

远津正挥 .

中国专利 :CN115362157A ,2022-11-18

[6]

新型的化合物、薄膜形成用原料和薄膜的制造方法 [P].

吉野智晴 ;

远津正挥 ;

西田章浩 ;

杉浦奈奈 .

中国专利 :CN107531734A ,2018-01-02

[7]

烷氧基化合物、薄膜形成用原料和薄膜的制造方法 [P].

山田直树 ;

樱井淳 .

中国专利 :CN101065349A ,2007-10-31

[8]

金属化合物、薄膜形成用原料及薄膜的制造方法 [P].

芳仲笃也 ;

樱井淳 .

中国专利 :CN101052615B ,2007-10-10

[9]

利用化学蒸镀法的钌薄膜或钌化合物薄膜的制造方法、以及钌薄膜或钌化合物薄膜 [P].

金秀贤 ;

小次洋平 .

韩国专利 :CN119256113A ,2025-01-03

[10]

醇盐化合物以及薄膜形成用原料 [P].

和田仙二 ;

斋藤昭夫 ;

吉野智晴 .

中国专利 :CN103502202B ,2014-01-08

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