钌化合物、薄膜形成用原料以及薄膜的制造方法

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专利类型
发明
申请号
CN201880072963.9
申请日
2018-07-27
公开(公告)号
CN111344294A
公开(公告)日
2020-06-26
发明(设计)人
吉野智晴 远津正挥 冈田奈奈 畑濑雅子
申请人
申请人地址
日本东京
IPC主分类号
C07F1500
IPC分类号
C23C1618 H01L2128 H01L21285
代理机构
北京品源专利代理有限公司 11332
代理人
吕琳;朴秀玉
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[31]
含有钼的薄膜的制造方法、薄膜形成用原料及钼酰亚胺化合物 [P]. 
佐藤宏树 ;
上山润二 .
中国专利 :CN104603327B ,2015-05-06
[32]
薄膜和用于薄膜的化合物 [P]. 
大下净治 ;
村藤俊宏 ;
仓持悠辅 ;
开高敬 ;
东村秀之 .
中国专利 :CN102822185A ,2012-12-12
[33]
含有氧化钼的薄膜的制造方法、含有氧化钼的薄膜的形成用原料以及钼酰胺化合物 [P]. 
佐藤宏树 ;
上山润二 .
中国专利 :CN103562434A ,2014-02-05
[34]
薄膜形成用原料和薄膜的制造方法 [P]. 
山田直树 ;
田中伸一 .
中国专利 :CN100582297C ,2007-06-13
[35]
原子层沉积法用薄膜形成用原料及薄膜的制造方法 [P]. 
武田圭介 ;
远津正挥 .
日本专利 :CN115362282B ,2024-03-29
[36]
原子层沉积法用薄膜形成用原料及薄膜的制造方法 [P]. 
武田圭介 ;
远津正挥 .
日本专利 :CN118223007A ,2024-06-21
[37]
原子层沉积法用薄膜形成用原料及薄膜的制造方法 [P]. 
武田圭介 ;
远津正挥 .
中国专利 :CN115362282A ,2022-11-18
[38]
有机钌络合物以及使用该钌络合物的钌薄膜的制造方法 [P]. 
角田巧 ;
长谷川千寻 ;
金户宏树 ;
二瓶央 .
中国专利 :CN103408598A ,2013-11-27
[39]
有机钌络合物以及使用该钌络合物的钌薄膜的制造方法 [P]. 
角田巧 ;
长谷川千寻 ;
金户宏树 ;
二瓶央 .
中国专利 :CN101516818B ,2009-08-26
[40]
化合物、薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP7730762B2 ,2025-08-28