钌化合物、薄膜形成用原料以及薄膜的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201880072963.9

申请日：

2018-07-27

公开(公告)号：

CN111344294A

公开(公告)日：

2020-06-26

发明(设计)人：

吉野智晴远津正挥冈田奈奈畑濑雅子

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

C07F1500

IPC分类号：

C23C1618 H01L2128 H01L21285

代理机构：

北京品源专利代理有限公司 11332

代理人：

吕琳;朴秀玉

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-06-26	公开	公开
2020-08-25	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C07F 15/00 申请日:20180727

共 50 条

[41]

化学蒸镀原料用的有机钌化合物及该有机钌化合物的制造方法 [P].

斋藤昌幸 ;

谷内淳一 ;

中川裕文 .

中国专利 :CN103582718A ,2014-02-12

[42]

化合物、薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP7075891B2 ,2022-05-26

[43]

化合物、薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP6811514B2 ,2021-01-13

[44]

钌络合物、其制造方法以及薄膜的制造方法 [P].

河野和久 ;

关本谦一 ;

大岛宪昭 ;

涩田见哲夫 ;

熊谷周治 ;

古川泰志 .

中国专利 :CN1255417C ,2003-04-09

[45]

用于薄膜沉积的有机锡化合物和用该化合物形成含锡薄膜的方法 [P].

沈樟根 ;

池成俊 ;

李太荣 ;

金信范 ;

白善英 ;

林泰焕 ;

李东均 ;

李尙炫 ;

千寿弼 .

中国专利 :CN115490720A ,2022-12-20

[46]

化合物薄膜形成装置 [P].

伊藤弘基 .

中国专利 :CN87107161A ,1988-05-11

[47]

原子层沉积法用薄膜形成用原料以及薄膜的制造方法 [P].

远津正挥 ;

武田圭介 ;

西田章浩 .

中国专利 :CN112004959A ,2020-11-27

[48]

化合物系薄膜及其形成方法、以及使用该薄膜的电子装置 [P].

大见忠弘 ;

浅原浩和 ;

井口敦智 ;

绵贯耕平 .

中国专利 :CN101681817A ,2010-03-24

[49]

钽化合物及其制造方法、含钽薄膜及其形成方法 [P].

关本谦一 ;

多田贤一 ;

高森真由美 ;

山川哲 ;

古川泰志 ;

大岛宪昭 .

中国专利 :CN101111502A ,2008-01-23

[50]

形成光变换性有机薄膜的新型化合物和有机薄膜形成体 [P].

佐宗春男 ;

藤田佳孝 ;

高桥敏明 .

中国专利 :CN1745088A ,2006-03-08

← 1 2 3 4 5 →