钌化合物、薄膜形成用原料以及薄膜的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201880072963.9

申请日：

2018-07-27

公开(公告)号：

CN111344294A

公开(公告)日：

2020-06-26

发明(设计)人：

吉野智晴远津正挥冈田奈奈畑濑雅子

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

C07F1500

IPC分类号：

C23C1618 H01L2128 H01L21285

代理机构：

北京品源专利代理有限公司 11332

代理人：

吕琳;朴秀玉

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-06-26	公开	公开
2020-08-25	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C07F 15/00 申请日:20180727

共 50 条

[21]

金属醇盐化合物、薄膜形成用原料及薄膜制造方法 [P].

和田仙二 ;

阿部彻司 ;

樱井淳 ;

东野贵志 ;

藤本龙作 ;

清水雅子 .

中国专利 :CN101143873A ,2008-03-19

[22]

烷氧基金属化合物、薄膜形成用原料和薄膜的制造方法 [P].

佐藤宏树 ;

樱井淳 .

中国专利 :CN1914150A ,2007-02-14

[23]

钌化合物及其制造方法以及采用该化合物得到的含钌薄膜 [P].

平社英之 ;

石川雅之 ;

柳泽明男 ;

小木胜实 .

中国专利 :CN1886412A ,2006-12-27

[24]

二氮杂二烯基化合物、薄膜形成用原料、以及薄膜的制造方法 [P].

吉野智晴 ;

远津正挥 ;

西田章浩 ;

山下敦史 .

中国专利 :CN109715601B ,2019-05-03

[25]

薄膜形成用原料及薄膜的制造方法 [P].

佐藤宏树 ;

山田直树 ;

白鸟翼 ;

佐藤晴义 .

中国专利 :CN109154080A ,2019-01-04

[26]

用于原子层沉积法的薄膜形成用原料、薄膜形成用原料、薄膜的制造方法及化合物 [P].

冈田奈奈 ;

吉野智晴 ;

山下敦史 .

中国专利 :CN112789367A ,2021-05-11

[27]

金属醇盐化合物、薄膜形成用原料及薄膜的制造方法 [P].

樱井淳 ;

畑濑雅子 ;

冈田奈奈 ;

西田章浩 .

中国专利 :CN110709381A ,2020-01-17

[28]

醇盐化合物、薄膜形成用原料、薄膜的形成方法和醇化合物 [P].

樱井淳 ;

畑濑雅子 ;

吉野智晴 ;

远津正挥 .

中国专利 :CN106660946B ,2017-05-10

[29]

用于形成含钼薄膜的化合物、含钼薄膜及其制造方法 [P].

李太荣 ;

崔雄辰 ;

白善英 ;

金信范 ;

池成俊 ;

金健熙 ;

李汉斌 .

韩国专利 :CN121108194A ,2025-12-12

[30]

有机硅化合物、使用其的薄膜形成用组合物以及有机薄膜 [P].

高桥敏明 ;

肥高友也 ;

浅沼大右 .

中国专利 :CN104395327A ,2015-03-04

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