原子层沉积法用薄膜形成用原料及薄膜的制造方法

被引：0

申请号：

CN202180025691.9

申请日：

2021-03-18

公开(公告)号：

CN115362282A

公开(公告)日：

2022-11-18

发明(设计)人：

武田圭介远津正挥

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

C23C16455

IPC分类号：

C23C1640 H01L21316

代理机构：

中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038

代理人：

贾成功

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-11-18	公开	公开
2022-12-06	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 16/455 申请日:20210318

共 50 条

[1]

原子层沉积法用薄膜形成用原料及薄膜的制造方法 [P].

武田圭介 ;

远津正挥 .

日本专利 :CN115362282B ,2024-03-29

[2]

原子层沉积法用薄膜形成用原料及薄膜的制造方法 [P].

武田圭介 ;

远津正挥 .

日本专利 :CN118223007A ,2024-06-21

[3]

原子层沉积法用薄膜形成用原料以及薄膜的制造方法 [P].

远津正挥 ;

武田圭介 ;

西田章浩 .

中国专利 :CN112004959A ,2020-11-27

[4]

原子层沉积法用薄膜形成原料、薄膜的制造方法以及醇盐化合物 [P].

樱井淳 ;

畑濑雅子 ;

吉野智晴 ;

西田章浩 ;

山下敦史 .

中国专利 :CN113195784A ,2021-07-30

[5]

用于原子层沉积法的薄膜形成用原料、薄膜形成用原料、薄膜的制造方法及化合物 [P].

冈田奈奈 ;

吉野智晴 ;

山下敦史 .

中国专利 :CN112789367A ,2021-05-11

[6]

薄膜形成用原料及薄膜的制造方法 [P].

佐藤宏树 ;

山田直树 ;

白鸟翼 ;

佐藤晴义 .

中国专利 :CN109154080A ,2019-01-04

[7]

利用原子层沉积法形成薄膜的方法 [P].

金荣宽 ;

朴泳旭 ;

林载顺 ;

崔城济 ;

李相忍 .

中国专利 :CN1234909C ,2001-04-25

[8]

金属化合物、薄膜形成用原料及薄膜的制造方法 [P].

芳仲笃也 ;

樱井淳 .

中国专利 :CN101052615B ,2007-10-10

[9]

锌化合物、薄膜形成用原料、薄膜及其制造方法 [P].

福岛亮太 ;

武田圭介 ;

远津正挥 .

中国专利 :CN115362157A ,2022-11-18

[10]

采用原子层沉积法的金属钌薄膜的制造方法 [P].

西田章浩 ;

远津正挥 .

中国专利 :CN112969812B ,2021-06-15

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