采用原子层沉积法的金属钌薄膜的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201980073135.1

申请日：

2019-10-28

公开(公告)号：

CN112969812B

公开(公告)日：

2021-06-15

发明(设计)人：

西田章浩远津正挥

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

C23C1618

IPC分类号：

C23C16455 H01L21285

代理机构：

中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038

代理人：

吴宗颐

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-07-02	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 16/18 申请日:20191028
2021-06-15	公开	公开
2022-11-15	授权	授权

共 50 条

[1]

原子层沉积法用薄膜形成用原料及薄膜的制造方法 [P].

武田圭介 ;

远津正挥 .

日本专利 :CN118223007A ,2024-06-21

[2]

原子层沉积法用薄膜形成用原料以及薄膜的制造方法 [P].

远津正挥 ;

武田圭介 ;

西田章浩 .

中国专利 :CN112004959A ,2020-11-27

[3]

原子层沉积法用薄膜形成用原料及薄膜的制造方法 [P].

武田圭介 ;

远津正挥 .

中国专利 :CN115362282A ,2022-11-18

[4]

原子层沉积法用薄膜形成用原料及薄膜的制造方法 [P].

武田圭介 ;

远津正挥 .

日本专利 :CN115362282B ,2024-03-29

[5]

金属薄膜的原子层沉积方法 [P].

水谷文一 ;

东慎太郎 ;

竹泽直幸 .

中国专利 :CN110945157A ,2020-03-31

[6]

利用原子层沉积法形成薄膜的方法 [P].

金荣宽 ;

朴泳旭 ;

林载顺 ;

崔城济 ;

李相忍 .

中国专利 :CN1234909C ,2001-04-25

[7]

通过原子层沉积法制造含氧化钇薄膜的制造方法 [P].

西田章浩 ;

山下敦史 .

中国专利 :CN110475904A ,2019-11-19

[8]

利用原子层沉积法的成膜方法 [P].

山内昭佳 ;

松永隆行 ;

岸川洋介 ;

堀口和孝 ;

中村新吾 ;

匈坂重仁 ;

霜垣幸浩 ;

百濑健 ;

出浦桃子 ;

佐藤登 ;

山口润 .

日本专利 :CN120731291A ,2025-09-30

[9]

原子层沉积法用薄膜形成原料、薄膜的制造方法以及醇盐化合物 [P].

樱井淳 ;

畑濑雅子 ;

吉野智晴 ;

西田章浩 ;

山下敦史 .

中国专利 :CN113195784A ,2021-07-30

[10]

原子层沉积法 [P].

阿里莱尼·达默龙 .

中国专利 :CN101883877A ,2010-11-10

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