新型的化合物、薄膜形成用原料和薄膜的制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201680025896.6
申请日
2016-05-17
公开(公告)号
CN107531734A
公开(公告)日
2018-01-02
发明(设计)人
吉野智晴 远津正挥 西田章浩 杉浦奈奈
申请人
申请人地址
日本东京
IPC主分类号
C07F1300
IPC分类号
C07F1504 C07F1506 C23C1618 H01L21285
代理机构
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038
代理人
何杨
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
金属醇盐化合物、薄膜形成用原料、薄膜的制造方法和醇化合物 [P]. 
樱井淳 ;
畑濑雅子 ;
山田直树 ;
白鸟翼 ;
斋藤昭夫 ;
吉野智晴 .
中国专利 :CN104470892B ,2015-03-25
[2]
薄膜形成用原料、薄膜的制造方法以及新型化合物 [P]. 
西田章浩 ;
冈田奈奈 ;
大江佳毅 .
中国专利 :CN110799665A ,2020-02-14
[3]
薄膜形成用原料、薄膜的制造方法以及新型化合物 [P]. 
西田章浩 ;
冈田奈奈 ;
大江佳毅 .
日本专利 :CN110799665B ,2025-10-24
[4]
烷氧基化合物、薄膜形成用原料和薄膜的制造方法 [P]. 
山田直树 ;
樱井淳 .
中国专利 :CN101065349A ,2007-10-31
[5]
化合物、薄膜形成用原料和薄膜的制造方法 [P]. 
斋藤昭夫 ;
青木雄太郎 .
中国专利 :CN114787168A ,2022-07-22
[6]
烷氧基金属化合物、薄膜形成用原料和薄膜的制造方法 [P]. 
佐藤宏树 ;
樱井淳 .
中国专利 :CN1914150A ,2007-02-14
[7]
锌化合物、薄膜形成用原料、薄膜及其制造方法 [P]. 
福岛亮太 ;
武田圭介 ;
远津正挥 .
中国专利 :CN115362157A ,2022-11-18
[8]
脒基化合物、其二聚体化合物、薄膜形成用原料以及薄膜的制造方法 [P]. 
吉野智晴 ;
大江佳毅 ;
武田圭介 ;
福岛亮太 ;
满井千瑛 ;
山下敦史 .
中国专利 :CN115380038A ,2022-11-22
[9]
金属化合物、薄膜形成用原料及薄膜的制造方法 [P]. 
芳仲笃也 ;
樱井淳 .
中国专利 :CN101052615B ,2007-10-10
[10]
钨化合物、薄膜形成用原料和薄膜的制造方法 [P]. 
斋藤昭夫 ;
白鸟翼 ;
青木雄太郎 .
中国专利 :CN110831950B ,2020-02-21