钨化合物、薄膜形成用原料和薄膜的制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201880042110.0
申请日
2018-07-04
公开(公告)号
CN110831950B
公开(公告)日
2020-02-21
发明(设计)人
斋藤昭夫 白鸟翼 青木雄太郎
申请人
申请人地址
日本东京
IPC主分类号
C07F1700
IPC分类号
C07F1100 C23C1640 H01L21316
代理机构
中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038
代理人
吴宗颐
法律状态
实质审查的生效
国省代码
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
化合物、薄膜形成用原料和薄膜的制造方法 [P]. 
斋藤昭夫 ;
青木雄太郎 .
中国专利 :CN114787168A ,2022-07-22
[2]
新型的化合物、薄膜形成用原料和薄膜的制造方法 [P]. 
吉野智晴 ;
远津正挥 ;
西田章浩 ;
杉浦奈奈 .
中国专利 :CN107531734A ,2018-01-02
[3]
化合物、薄膜形成用原料、薄膜的制造方法和脒化合物 [P]. 
吉野智晴 ;
冈田奈奈 ;
西田章浩 ;
山下敦史 .
中国专利 :CN109923119B ,2019-06-21
[4]
烷氧基化合物、薄膜形成用原料和薄膜的制造方法 [P]. 
山田直树 ;
樱井淳 .
中国专利 :CN101065349A ,2007-10-31
[5]
锌化合物、薄膜形成用原料、薄膜及其制造方法 [P]. 
福岛亮太 ;
武田圭介 ;
远津正挥 .
中国专利 :CN115362157A ,2022-11-18
[6]
金属醇盐化合物、薄膜形成用原料、薄膜的制造方法和醇化合物 [P]. 
樱井淳 ;
畑濑雅子 ;
山田直树 ;
白鸟翼 ;
斋藤昭夫 ;
吉野智晴 .
中国专利 :CN104470892B ,2015-03-25
[7]
金属化合物、薄膜形成用原料及薄膜的制造方法 [P]. 
芳仲笃也 ;
樱井淳 .
中国专利 :CN101052615B ,2007-10-10
[8]
钌化合物、薄膜形成用原料以及薄膜的制造方法 [P]. 
吉野智晴 ;
远津正挥 ;
冈田奈奈 ;
畑濑雅子 .
中国专利 :CN111344294A ,2020-06-26
[9]
薄膜形成用原料、薄膜的制造方法以及新型化合物 [P]. 
西田章浩 ;
冈田奈奈 ;
大江佳毅 .
中国专利 :CN110799665A ,2020-02-14
[10]
薄膜形成用原料、薄膜的制造方法以及新型化合物 [P]. 
西田章浩 ;
冈田奈奈 ;
大江佳毅 .
日本专利 :CN110799665B ,2025-10-24