透明氧化物膜及其制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201280007565.1
申请日
2012-02-20
公开(公告)号
CN103380229A
公开(公告)日
2013-10-30
发明(设计)人
山口刚 张守斌 近藤佑一
申请人
申请人地址
日本东京
IPC主分类号
C23C1434
IPC分类号
C04B3516 C04B35453 H01L3104
代理机构
北京德琦知识产权代理有限公司 11018
代理人
康泉;王珍仙
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
透明氧化物膜形成用溅射靶及其制造方法 [P]. 
斋藤淳 ;
张守斌 ;
山口刚 ;
近藤佑一 .
中国专利 :CN104540976A ,2015-04-22
[2]
透明氧化物膜、透明氧化物膜的制造方法、氧化物烧结体和透明树脂基板 [P]. 
下山田卓矢 ;
桑原正和 ;
仁藤茂生 .
中国专利 :CN111836912A ,2020-10-27
[3]
透明氧化物层叠膜、透明氧化物层叠膜的制造方法、溅射靶和透明树脂基板 [P]. 
桑原正和 ;
仁藤茂生 .
中国专利 :CN111954726A ,2020-11-17
[4]
复合氧化物烧结体及其制造方法、溅射靶材、以及氧化物透明导电膜及其制造方法 [P]. 
仓持豪人 ;
饭草仁志 ;
涩田见哲夫 .
中国专利 :CN103140454A ,2013-06-05
[5]
透明氧化物层叠膜、透明氧化物层叠膜的制造方法和透明树脂基板 [P]. 
桑原正和 ;
仁藤茂生 .
中国专利 :CN111868293A ,2020-10-30
[6]
氧化物膜、氧化物膜的制造方法及含氮氧化物溅射靶 [P]. 
梅本启太 ;
山口刚 ;
白井孝典 .
中国专利 :CN111542643A ,2020-08-14
[7]
复合氧化物烧结体、溅射靶、以及氧化物透明导电膜及其制造方法 [P]. 
仓持豪人 ;
玉野公章 ;
饭草仁志 ;
秋池良 ;
涉田见哲夫 .
中国专利 :CN103987678B ,2014-08-13
[8]
氧化物膜及其制造方法 [P]. 
山添诚司 ;
和田隆博 .
中国专利 :CN104204279A ,2014-12-10
[9]
氧化物烧结体、靶电极、氧化物透明电极的制造方法以及氧化物透明导电膜 [P]. 
阿部能之 ;
中山德行 ;
小原刚 ;
和气理一郎 .
中国专利 :CN102543250A ,2012-07-04
[10]
金属氧化物膜及其制造方法 [P]. 
董树新 ;
太田理一郎 ;
村濑雅和 ;
伊关崇 ;
大砂哲 .
中国专利 :CN108699718B ,2018-10-23