湿式蚀刻机机台用浸泡槽结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201520515914.1

申请日：

2015-07-16

公开(公告)号：

CN204792722U

公开(公告)日：

2015-11-18

发明(设计)人：

黄于维

申请人：

申请人地址：

201506 上海市金山区九工路1568号

IPC主分类号：

H01L2167

IPC分类号：

代理机构：

上海申浩律师事务所 31280

代理人：

乐卫国

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-11-18	授权	授权
2020-09-04	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/67 变更事项:专利权人变更前:上海和辉光电有限公司变更后:上海和辉光电股份有限公司变更事项:地址变更前:201506 上海市金山区九工路1568号变更后:201506 上海市金山区九工路1568号

共 50 条

[1]

湿式蚀刻机机台用蚀刻药液喷洒结构 [P].

江昌隆 .

中国专利 :CN204927251U ,2015-12-30

[2]

湿蚀刻机台 [P].

解瑞松 .

中国专利 :CN203607372U ,2014-05-21

[3]

湿式蚀刻机 [P].

刘灿 .

中国专利 :CN207391556U ,2018-05-22

[4]

蚀刻浸泡槽用鼓泡喷嘴 [P].

郑资来 ;

刘操 ;

蒋国斌 .

中国专利 :CN211111723U ,2020-07-28

[5]

碱蚀刻机蚀刻槽用槽体盖板的改良结构 [P].

吴思敬 .

中国专利 :CN206319063U ,2017-07-11

[6]

浸泡式玻璃基板蚀刻机 [P].

刘亮 ;

尹德胜 .

中国专利 :CN104891817B ,2015-09-09

[7]

一种新型湿式蚀刻机药液槽加热结构 [P].

张杰 ;

曾一鑫 .

中国专利 :CN217884003U ,2022-11-22

[8]

半导体干式蚀刻机台 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN208521893U ,2019-02-19

[9]

半导体蚀刻机用蚀刻头结构 [P].

万琳旭 .

中国专利 :CN221827843U ,2024-10-11

[10]

槽式机台热能回收结构 [P].

赵法友 ;

刘洋 .

中国专利 :CN220552113U ,2024-03-01

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