绝缘体上半导体结构以及制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201611052552.2

申请日：

2016-11-24

公开(公告)号：

CN106409750A

公开(公告)日：

2017-02-15

发明(设计)人：

王敬孙川川梁仁荣许军

申请人：

申请人地址：

100084 北京市海淀区清华园

IPC主分类号：

H01L21762

IPC分类号：

H01L2712 H01L2978

代理机构：

北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201

代理人：

李志东

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-03-15	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101707264285 IPC(主分类):H01L 21/762 专利申请号:2016110525522 申请日:20161124
2017-02-15	公开	公开
2020-04-28	授权	授权

共 50 条

[1]

绝缘体上半导体结构以及制备方法 [P].

王敬 ;

孙川川 ;

梁仁荣 ;

许军 .

中国专利 :CN106449369B ,2017-02-22

[2]

绝缘体上半导体结构以及制备方法 [P].

王敬 ;

孙川川 ;

梁仁荣 ;

许军 .

中国专利 :CN106449663B ,2017-02-22

[3]

应变绝缘体上半导体结构以及应变绝缘体上半导体结构的制造方法 [P].

K·P·加德卡尔 ;

M·J·德杰纳卡 ;

L·R·平克尼 ;

B·G·艾特肯 .

中国专利 :CN101044620A ,2007-09-26

[4]

绝缘体上半导体结构的制造方法 [P].

黄河 ;

丁敬秀 ;

向阳辉 .

中国专利 :CN113889431A ,2022-01-04

[5]

制造绝缘体上半导体结构的方法 [P].

奥列格·科农丘克 .

中国专利 :CN101548369B ,2009-09-30

[6]

绝缘体上半导体结构的制造方法 [P].

黄河 ;

丁敬秀 ;

向阳辉 .

中国专利 :CN113889432B ,2025-11-21

[7]

绝缘体上半导体结构的制造方法 [P].

黄河 ;

丁敬秀 ;

向阳辉 .

中国专利 :CN113889432A ,2022-01-04

[8]

绝缘体上半导体(SOI)结构及其制造方法 [P].

A·I·舒 ;

J·W·斯雷特 ;

W·亨施 ;

古川俊治 ;

任志斌 ;

D·V·辛格 .

中国专利 :CN101106141A ,2008-01-16

[9]

绝缘体上半导体结构及其制造方法 [P].

安德鲁·约翰·布劳利 .

中国专利 :CN103946969A ,2014-07-23

[10]

绝缘体上半导体结构及其制造方法 [P].

钟汇才 ;

赵超 ;

梁擎擎 .

中国专利 :CN103367392A ,2013-10-23

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