单管IGBT的散热结构及加工工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710131770.3

申请日：

2017-03-07

公开(公告)号：

CN106653712A

公开(公告)日：

2017-05-10

发明(设计)人：

鲍婕宁仁霞陈珍海何聚焦铮王政留

申请人：

申请人地址：

245041 安徽省黄山市屯溪区西海路39号

IPC主分类号：

H01L23373

IPC分类号：

H01L2150

代理机构：

苏州国诚专利代理有限公司 32293

代理人：

韩凤

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-11-20	授权	授权
2017-06-06	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101724575174 IPC(主分类):H01L 23/373 专利申请号:2017101317703 申请日:20170307
2017-05-10	公开	公开

共 50 条

[1]

功率变流器中IGBT模块的散热结构及封装工艺 [P].

鲍婕 ;

宁仁霞 ;

陈珍海 ;

何聚 ;

侯丽 ;

王政留 .

中国专利 :CN106910691A ,2017-06-30

[2]

大功率GaN基LED的散热结构及加工工艺 [P].

鲍婕 ;

靖南 ;

许媛 ;

侯丽 ;

焦铮 ;

宁仁霞 ;

陈珍海 .

中国专利 :CN109920904A ,2019-06-21

[3]

单管IGBT的散热结构 [P].

邹罗院 .

中国专利 :CN102339799A ,2012-02-01

[4]

一种IGBT芯片散热封装模块及封装方法 [P].

罗契 ;

冷明全 ;

陈均 ;

罗德成 ;

陈龙 ;

李琦 ;

闫文韬 .

中国专利 :CN120072652B ,2025-09-26

[5]

一种IGBT芯片散热封装模块及封装方法 [P].

罗契 ;

冷明全 ;

陈均 ;

罗德成 ;

陈龙 ;

李琦 ;

闫文韬 .

中国专利 :CN120072652A ,2025-05-30

[6]

高可靠性IGBT模块的封装结构 [P].

鲍婕 ;

王哲 ;

宁仁霞 ;

靖南 ;

赵浩 ;

付玉海 ;

张运杰 ;

杨飘 .

中国专利 :CN207977311U ,2018-10-16

[7]

大功率GaN基LED的散热结构 [P].

鲍婕 ;

靖南 ;

吴杰 ;

许媛 ;

侯丽 ;

焦铮 ;

宁仁霞 ;

陈珍海 .

中国专利 :CN209515738U ,2019-10-18

[8]

单管IGBT的防护装置及具有单管IGBT的功率模组 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN103839927A ,2014-06-04

[9]

单管IGBT的防护装置及具有单管IGBT的功率模组 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN203839370U ,2014-09-17

[10]

一种高可靠性IGBT模块的封装结构及加工工艺 [P].

鲍婕 ;

王哲 ;

刘琦 ;

占林松 ;

宁仁霞 ;

何聚 ;

许媛 .

中国专利 :CN108461484A ,2018-08-28

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