功率变流器中IGBT模块的散热结构及封装工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710132139.5

申请日：

2017-03-07

公开(公告)号：

CN106910691A

公开(公告)日：

2017-06-30

发明(设计)人：

鲍婕宁仁霞陈珍海何聚侯丽王政留

申请人：

申请人地址：

245041 安徽省黄山市屯溪区西海路39号

IPC主分类号：

H01L2148

IPC分类号：

H01L23373 H01L2507

代理机构：

苏州国诚专利代理有限公司 32293

代理人：

韩凤

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-07-25	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101736966622 IPC(主分类):H01L 21/48 专利申请号:2017101321395 申请日:20170307
2019-03-22	授权	授权
2017-06-30	公开	公开

共 50 条

[1]

单管IGBT的散热结构及加工工艺 [P].

鲍婕 ;

宁仁霞 ;

陈珍海 ;

何聚 ;

焦铮 ;

王政留 .

中国专利 :CN106653712A ,2017-05-10

[2]

一种IGBT芯片散热封装模块及封装方法 [P].

罗契 ;

冷明全 ;

陈均 ;

罗德成 ;

陈龙 ;

李琦 ;

闫文韬 .

中国专利 :CN120072652B ,2025-09-26

[3]

一种IGBT芯片散热封装模块及封装方法 [P].

罗契 ;

冷明全 ;

陈均 ;

罗德成 ;

陈龙 ;

李琦 ;

闫文韬 .

中国专利 :CN120072652A ,2025-05-30

[4]

一种IGBT模块封装工艺及双向散热的IGBT模块 [P].

吕新立 ;

关仕汉 .

中国专利 :CN102832146A ,2012-12-19

[5]

高可靠性IGBT模块的封装结构 [P].

鲍婕 ;

王哲 ;

宁仁霞 ;

靖南 ;

赵浩 ;

付玉海 ;

张运杰 ;

杨飘 .

中国专利 :CN207977311U ,2018-10-16

[6]

IGBT模块及其封装工艺 [P].

潘达文 ;

解燕旗 ;

黄伦 .

中国专利 :CN121237734A ,2025-12-30

[7]

大功率GaN基LED的散热结构及加工工艺 [P].

鲍婕 ;

靖南 ;

许媛 ;

侯丽 ;

焦铮 ;

宁仁霞 ;

陈珍海 .

中国专利 :CN109920904A ,2019-06-21

[8]

IGBT功率器件的封装工艺 [P].

田永革 ;

刘杰 .

中国专利 :CN113270328B ,2021-08-17

[9]

功率模块及封装工艺 [P].

暴杰 ;

许重斌 .

中国专利 :CN118943113A ,2024-11-12

[10]

一种高功率密度塑封式IPM模块的封装结构 [P].

张珺 ;

何娜 .

中国专利 :CN222838847U ,2025-05-06

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