反应腔室、半导体工艺设备及半导体工艺方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202110714585.3
申请日
2021-06-25
公开(公告)号
CN113451188A
公开(公告)日
2021-09-28
发明(设计)人
耿宏伟
申请人
申请人地址
100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道8号
IPC主分类号
H01L21677
IPC分类号
C23C1422
代理机构
北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315
代理人
施敬勃
法律状态
公开
国省代码
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
反应腔室、半导体工艺设备及半导体工艺方法 [P]. 
耿宏伟 .
中国专利 :CN113451188B ,2024-07-23
[2]
半导体工艺腔室及半导体工艺设备 [P]. 
袁莉娟 ;
张凯程 ;
李璐 .
中国专利 :CN120784150A ,2025-10-14
[3]
半导体工艺腔室、半导体工艺设备和半导体工艺方法 [P]. 
王勇飞 ;
佘清 ;
兰云峰 .
中国专利 :CN113718229A ,2021-11-30
[4]
半导体工艺腔室、半导体工艺设备和半导体工艺方法 [P]. 
王勇飞 ;
侯珏 ;
兰云峰 ;
王洪彪 ;
武树波 .
中国专利 :CN119340236A ,2025-01-21
[5]
半导体工艺设备的反应腔室及半导体工艺设备 [P]. 
成航航 ;
林源为 .
中国专利 :CN213691989U ,2021-07-13
[6]
半导体工艺设备的反应腔室及半导体工艺设备 [P]. 
茅兴飞 ;
许金基 ;
黄海涛 ;
李岩 .
中国专利 :CN214411135U ,2021-10-15
[7]
半导体工艺设备的反应腔室及半导体工艺设备 [P]. 
刘珊珊 ;
光娟亮 .
中国专利 :CN111725111A ,2020-09-29
[8]
半导体工艺设备的反应腔室及半导体工艺设备 [P]. 
朱海云 .
中国专利 :CN112458441B ,2021-03-09
[9]
半导体工艺腔室和半导体工艺设备 [P]. 
薛梦凡 .
中国专利 :CN120967325A ,2025-11-18
[10]
半导体工艺腔室及半导体工艺设备 [P]. 
戎艳天 ;
张宝辉 .
中国专利 :CN111640641A ,2020-09-08