一种半导体发光元件及其制备方法、LED芯片

被引：0

申请号：

CN202111682112.6

申请日：

2021-12-31

公开(公告)号：

CN114335281A

公开(公告)日：

2022-04-12

发明(设计)人：

赵洋宋林青廖汉忠芦玲

申请人：

申请人地址：

223001 江苏省淮安市清河新区景秀路6号

IPC主分类号：

H01L3324

IPC分类号：

H01L3320 H01L3300

代理机构：

北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463

代理人：

张金铭

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-04-12	公开	公开
2022-04-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/24 申请日:20211231

共 50 条

[1]

一种半导体发光元件及其制备方法、LED芯片 [P].

赵洋 ;

宋林青 ;

廖汉忠 ;

芦玲 .

中国专利 :CN114335281B ,2024-07-02

[2]

一种LED芯片及其制备方法、半导体发光元件 [P].

宋长伟 ;

叶大千 ;

连伟杰 ;

郭园 ;

黄理承 ;

芦玲 .

中国专利 :CN119384117B ,2025-04-04

[3]

一种LED芯片及其制备方法、半导体发光元件 [P].

宋长伟 ;

叶大千 ;

连伟杰 ;

郭园 ;

黄理承 ;

芦玲 .

中国专利 :CN119384117A ,2025-01-28

[4]

半导体发光元件及其制备方法 [P].

郑锦坚 ;

丘金金 ;

邬元杰 ;

常亮 ;

高默然 ;

毕京锋 .

中国专利 :CN115483324A ,2022-12-16

[5]

半导体发光元件及其制备方法 [P].

郑锦坚 ;

高默然 ;

毕京锋 ;

范伟宏 ;

李森林 ;

曾家明 ;

邬元杰 ;

张成军 .

中国专利 :CN113328018B ,2021-08-31

[6]

半导体发光元件及其制备方法 [P].

郑锦坚 ;

邬元杰 ;

常亮 ;

丘金金 ;

高默然 ;

毕京锋 .

中国专利 :CN115394891A ,2022-11-25

[7]

半导体发光元件及其制备方法 [P].

郑锦坚 ;

丘金金 ;

邬元杰 ;

常亮 ;

高默然 ;

毕京锋 .

中国专利 :CN115483324B ,2025-08-26

[8]

半导体发光元件及其制备方法 [P].

郑锦坚 ;

丘金金 ;

高默然 ;

常亮 ;

邬元杰 ;

叶伟特 ;

许潮之 ;

毕京锋 .

中国专利 :CN115394892A ,2022-11-25

[9]

半导体发光元件、半导体发光元件的制造方法 [P].

楠木克辉 ;

佐藤寿朗 .

中国专利 :CN103972337A ,2014-08-06

[10]

一种半导体发光元件及其制备方法 [P].

林宗民 ;

黄苡叡 ;

张中英 ;

邓有财 .

中国专利 :CN113228310A ,2021-08-06

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