半导体发光元件及其制备方法

被引：0

申请号：

CN202211171078.0

申请日：

2022-09-23

公开(公告)号：

CN115483324A

公开(公告)日：

2022-12-16

发明(设计)人：

郑锦坚丘金金邬元杰常亮高默然毕京锋

申请人：

申请人地址：

361012 福建省厦门市海沧区兰英路99号

IPC主分类号：

H01L3306

IPC分类号：

H01L3302 H01L3300

代理机构：

上海思捷知识产权代理有限公司 31295

代理人：

钟晶

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-01-03	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/06 申请日:20220923
2022-12-16	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体发光元件及其制备方法 [P].

郑锦坚 ;

丘金金 ;

邬元杰 ;

常亮 ;

高默然 ;

毕京锋 .

中国专利 :CN115483324B ,2025-08-26

[2]

半导体发光元件及其制备方法 [P].

郑锦坚 ;

邬元杰 ;

常亮 ;

丘金金 ;

高默然 ;

毕京锋 .

中国专利 :CN115394891A ,2022-11-25

[3]

半导体发光元件及其制备方法 [P].

郑锦坚 ;

高默然 ;

毕京锋 ;

范伟宏 ;

李森林 ;

曾家明 ;

邬元杰 ;

张成军 .

中国专利 :CN113328018B ,2021-08-31

[4]

半导体发光元件及其制备方法 [P].

郑锦坚 ;

丘金金 ;

高默然 ;

常亮 ;

邬元杰 ;

叶伟特 ;

许潮之 ;

毕京锋 .

中国专利 :CN115394892A ,2022-11-25

[5]

半导体发光元件 [P].

郑锦坚 ;

高默然 ;

毕京锋 ;

范伟宏 ;

曾家明 ;

张成军 .

中国专利 :CN113394314B ,2021-09-14

[6]

半导体发光元件 [P].

郑锦坚 ;

丘金金 ;

高默然 ;

常亮 ;

邬元杰 ;

叶伟特 ;

许潮之 ;

毕京锋 .

中国专利 :CN218447948U ,2023-02-03

[7]

半导体发光元件、半导体发光元件的制造方法 [P].

楠木克辉 ;

佐藤寿朗 .

中国专利 :CN103972337A ,2014-08-06

[8]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

尺田幸男 .

中国专利 :CN101479861B ,2009-07-08

[9]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

名古肇 ;

木村重哉 ;

原田佳幸 ;

布上真也 .

中国专利 :CN103915531A ,2014-07-09

[10]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

月原政志 ;

中村薰 .

中国专利 :CN105849918A ,2016-08-10

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