制造硅纳米线的方法和包含硅纳米线的器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201480044334.7

申请日：

2014-08-13

公开(公告)号：

CN105580170A

公开(公告)日：

2016-05-11

发明(设计)人：

P·S·何吴卓杰

申请人：

申请人地址：

美国得克萨斯州

IPC主分类号：

H01M4134

IPC分类号：

H01M41395 H01M438 B82B300 H01L2906 H01L21306

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

陆蔚;樊云飞

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-08-10	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01M 4/134 申请公布日:20160511
2016-06-15	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101665111738 IPC(主分类):H01M 4/134 专利申请号:2014800443347 申请日:20140813
2016-05-11	公开	公开

共 50 条

[1]

硅纳米线、包括其的半导体器件和制造硅纳米线的方法 [P].

崔秉龙 ;

朴玩濬 ;

李银京 ;

玄在雄 .

中国专利 :CN1841659A ,2006-10-04

[2]

硅纳米线的制造方法 [P].

曹永峰 .

中国专利 :CN102437064A ,2012-05-02

[3]

硅纳米线器件及其制造方法 [P].

曹永峰 .

中国专利 :CN102437190A ,2012-05-02

[4]

硅纳米线器件及其制造方法 [P].

曹永峰 .

中国专利 :CN102437189A ,2012-05-02

[5]

阵列化镍硅纳米线及镍硅-硅核壳纳米线的制备方法 [P].

杜宁 ;

樊星 ;

吴平 ;

杨德仁 .

中国专利 :CN102263243B ,2011-11-30

[6]

硅和硅锗纳米线的形成 [P].

江国诚 ;

卡洛斯·H·迪亚兹 ;

让-皮埃尔·科林格 .

中国专利 :CN104425495A ,2015-03-18

[7]

硅纳米线器件的制作方法 [P].

景旭斌 ;

杨斌 ;

郭明升 .

中国专利 :CN102354669B ,2012-02-15

[8]

硅纳米线围栅器件的制备方法 [P].

范春晖 ;

周伟 .

中国专利 :CN102142376A ,2011-08-03

[9]

硅纳米线的制备方法 [P].

曾湘波 ;

廖显伯 ;

刁宏伟 ;

向贤碧 ;

孔光临 ;

徐艳月 ;

张世斌 .

中国专利 :CN1796267A ,2006-07-05

[10]

硅纳米线的制备方法 [P].

范春晖 ;

王全 .

中国专利 :CN102086024A ,2011-06-08

← 1 2 3 4 5 →