一种Janus双层离子印迹复合膜的制备方法及用途

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710458395.3

申请日：

2017-06-16

公开(公告)号：

CN107529450A

公开(公告)日：

2018-01-02

发明(设计)人：

郑旭东张福生刘恩秀刘恩利喻龙宝闫永胜

申请人：

申请人地址：

212013 江苏省镇江市京口区学府路301号

IPC主分类号：

B01J2026

IPC分类号：

B01J2028 B01J2030 B01D1538

代理机构：

代理人：

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-05-28	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):B01J 20/26 申请日:20170616 授权公告日:20191001 终止日期:20200616
2019-10-01	授权	授权
2018-01-02	公开	公开
2018-01-26	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):B01J 20/26 申请日:20170616

共 50 条

[1]

一种三价铬离子印迹复合膜的制备方法及应用 [P].

成会玲 ;

刘迎梅 ;

赵莉 ;

胡德琼 ;

陈树梁 ;

字富庭 ;

胡显智 .

中国专利 :CN110339729A ,2019-10-18

[2]

一种表面热聚合制备离子印迹复合膜的方法 [P].

杨丽 ;

平春霞 ;

王玉杰 .

中国专利 :CN106256839B ,2016-12-28

[3]

一种疏松的表面金属离子印迹复合膜的制备方法及应用 [P].

孔志云 ;

骈洁如 ;

张环 ;

王晓磊 ;

张泰铭 ;

史雅林 ;

顾新杰 .

中国专利 :CN119113811A ,2024-12-13

[4]

一种疏松的表面金属离子印迹复合膜的制备方法及应用 [P].

孔志云 ;

骈洁如 ;

张环 ;

王晓磊 ;

张泰铭 ;

史雅林 ;

顾新杰 .

中国专利 :CN119113811B ,2025-11-18

[5]

一种对稀土Nd3+离子印迹复合膜的制备方法 [P].

张福生 ;

郑旭东 ;

刘恩利 ;

喻龙宝 ;

闫永胜 .

中国专利 :CN106423089B ,2017-02-22

[6]

一种制备镉(II)离子印迹复合膜的方法 [P].

字富庭 ;

赵莉 ;

胡德琼 ;

刘迎梅 ;

成会玲 ;

胡显智 .

中国专利 :CN109589943B ,2019-04-09

[7]

一种镉(II)离子印迹复合膜的制备方法 [P].

成会玲 ;

胡德琼 ;

刘迎梅 ;

赵莉 ;

陈树梁 ;

王朝武 ;

陈云龙 ;

何易 ;

字富庭 ;

胡显智 .

中国专利 :CN109589799B ,2019-04-09

[8]

一种铅(II)离子印迹复合膜的制备方法及应用 [P].

成会玲 ;

赵莉 ;

刘迎梅 ;

胡德琼 ;

陈树梁 ;

字富庭 ;

胡显智 .

中国专利 :CN110256726A ,2019-09-20

[9]

一种金属离子印迹复合膜的制备方法 [P].

杨丽 ;

魏昕 ;

杨永强 .

中国专利 :CN105771701B ,2016-07-20

[10]

一种三价铬离子印迹复合膜的制备方法及应用 [P].

成会玲 ;

刘迎梅 ;

赵莉 ;

胡德琼 ;

陈树梁 ;

字富庭 ;

胡显智 .

中国专利 :CN110339730A ,2019-10-18

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