一种疏松的表面金属离子印迹复合膜的制备方法及应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410649403.2

申请日：

2024-05-23

公开(公告)号：

CN119113811A

公开(公告)日：

2024-12-13

发明(设计)人：

孔志云骈洁如张环王晓磊张泰铭史雅林顾新杰

申请人：

天津工业大学

申请人地址：

300387 天津市西青区宾水西道399号

IPC主分类号：

B01D69/02

IPC分类号：

B01D69/12 C02F1/44 C02F101/20

代理机构：

代理人：

法律状态：

授权

国省代码：

天津市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-18	授权	授权
2024-12-13	公开	公开
2024-12-31	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):B01D 69/02申请日:20240523

共 50 条

[1]

一种疏松的表面金属离子印迹复合膜的制备方法及应用 [P].

孔志云 ;

骈洁如 ;

张环 ;

王晓磊 ;

张泰铭 ;

史雅林 ;

顾新杰 .

中国专利 :CN119113811B ,2025-11-18

[2]

一种表面热聚合制备离子印迹复合膜的方法 [P].

杨丽 ;

平春霞 ;

王玉杰 .

中国专利 :CN106256839B ,2016-12-28

[3]

一种三价铬离子印迹复合膜的制备方法及应用 [P].

成会玲 ;

刘迎梅 ;

赵莉 ;

胡德琼 ;

陈树梁 ;

字富庭 ;

胡显智 .

中国专利 :CN110339729A ,2019-10-18

[4]

一种Janus双层离子印迹复合膜的制备方法及用途 [P].

郑旭东 ;

张福生 ;

刘恩秀 ;

刘恩利 ;

喻龙宝 ;

闫永胜 .

中国专利 :CN107529450A ,2018-01-02

[5]

一种金属离子印迹复合膜的制备方法 [P].

杨丽 ;

魏昕 ;

杨永强 .

中国专利 :CN105771701B ,2016-07-20

[6]

一种铅(II)离子印迹复合膜的制备方法及应用 [P].

成会玲 ;

赵莉 ;

刘迎梅 ;

胡德琼 ;

陈树梁 ;

字富庭 ;

胡显智 .

中国专利 :CN110256726A ,2019-09-20

[7]

一种三价铬离子印迹复合膜的制备方法及应用 [P].

成会玲 ;

刘迎梅 ;

赵莉 ;

胡德琼 ;

陈树梁 ;

字富庭 ;

胡显智 .

中国专利 :CN110339730A ,2019-10-18

[8]

一种铬（VI）离子印迹复合膜的制备方法及其应用 [P].

成会玲 ;

刘迎梅 ;

赵莉 ;

胡德琼 ;

陈树梁 ;

字富庭 ;

胡显智 .

中国专利 :CN110339731B ,2019-10-18

[9]

一种制备镉(II)离子印迹复合膜的方法 [P].

字富庭 ;

赵莉 ;

胡德琼 ;

刘迎梅 ;

成会玲 ;

胡显智 .

中国专利 :CN109589943B ,2019-04-09

[10]

一种镉(II)离子印迹复合膜的制备方法 [P].

成会玲 ;

胡德琼 ;

刘迎梅 ;

赵莉 ;

陈树梁 ;

王朝武 ;

陈云龙 ;

何易 ;

字富庭 ;

胡显智 .

中国专利 :CN109589799B ,2019-04-09

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