一种阴极体组件、磁控溅射阴极及磁控溅射装置

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201821097209.4

申请日：

2018-07-11

公开(公告)号：

CN208649457U

公开(公告)日：

2019-03-26

发明(设计)人：

梅艳慧

申请人：

申请人地址：

100176 北京市大兴区亦庄经济技术开发区荣华南路9号院2号楼10层

IPC主分类号：

C23C1435

IPC分类号：

代理机构：

北京中博世达专利商标代理有限公司 11274

代理人：

申健

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-03-26	授权	授权
2021-01-19	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):C23C 14/35 登记生效日:20210106 变更事项:专利权人变更前权利人:君泰创新（北京）科技有限公司变更后权利人:德运创鑫（北京）科技有限公司变更事项:地址变更前权利人:100176 北京市大兴区亦庄经济技术开发区荣华南路9号院2号楼10层变更后权利人:101102 北京市通州区中关村科技园区通州园金桥科技产业基地环科中路17号26幢1至3层102-LQ307

共 50 条

[1]

一种阴极体组件、磁控溅射阴极及磁控溅射装置 [P].

梅艳慧 .

中国专利 :CN110714186A ,2020-01-21

[2]

一种磁控溅射阴极装置及磁控溅射装置 [P].

赵鑫 ;

任明冲 ;

张林 ;

谷士斌 ;

赵冠超 ;

杨荣 ;

李立伟 ;

孟原 ;

郭铁 .

中国专利 :CN106350777A ,2017-01-25

[3]

一种磁控溅射阴极装置及磁控溅射设备 [P].

张永胜 ;

解传佳 ;

周振国 ;

武瑞军 ;

彭孝龙 ;

莫超超 .

中国专利 :CN115537747B ,2024-04-23

[4]

一种磁控溅射阴极装置及磁控溅射设备 [P].

张永胜 ;

解传佳 ;

周振国 ;

武瑞军 ;

彭孝龙 ;

莫超超 .

中国专利 :CN115537747A ,2022-12-30

[5]

磁控溅射阴极装置、磁控溅射设备及镀膜方法 [P].

解传佳 ;

於刘民 ;

潘俊杰 ;

罗金豪 ;

赵贤贵 ;

吴其涛 .

中国专利 :CN119194385A ,2024-12-27

[6]

磁控溅射阴极系统 [P].

王三军 .

中国专利 :CN107995932A ,2018-05-04

[7]

磁控溅射阴极系统 [P].

王三军 ;

刘圣烈 ;

黄维邦 ;

余晓军 .

中国专利 :CN110770364A ,2020-02-07

[8]

平面磁控溅射阴极 [P].

黄登聪 ;

彭立全 .

中国专利 :CN103046009A ,2013-04-17

[9]

平面磁控溅射阴极 [P].

黄登聪 ;

彭立全 .

中国专利 :CN103050358A ,2013-04-17

[10]

圆柱磁控溅射阴极 [P].

王良源 .

中国专利 :CN103114272B ,2013-05-22

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