磁控溅射阴极系统

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201680042990.2

申请日：

2016-12-26

公开(公告)号：

CN107995932A

公开(公告)日：

2018-05-04

发明(设计)人：

王三军

申请人：

申请人地址：

518052 广东省深圳市南山区科技园科苑路15号科兴科学园A4-1501

IPC主分类号：

C23C1435

IPC分类号：

代理机构：

代理人：

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-12-06	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C23C 14/35 申请日:20161226 授权公告日:20200728 终止日期:20211226
2018-05-04	公开	公开
2018-06-01	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 14/35 申请日:20161226
2020-11-17	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):C23C 14/35 变更事项:专利权人变更前:深圳市柔宇科技有限公司变更后:深圳市柔宇科技股份有限公司变更事项:地址变更前:518052 广东省深圳市南山区科技园科苑路15号科兴科学园A4-1501 变更后:518052 广东省深圳市南山区科技园科苑路15号科兴科学园A4-1501
2020-07-28	授权	授权

共 50 条

[1]

磁控溅射阴极系统 [P].

王三军 ;

刘圣烈 ;

黄维邦 ;

余晓军 .

中国专利 :CN110770364A ,2020-02-07

[2]

平面磁控溅射阴极 [P].

黄登聪 ;

彭立全 .

中国专利 :CN103046009A ,2013-04-17

[3]

平面磁控溅射阴极 [P].

黄登聪 ;

彭立全 .

中国专利 :CN103050358A ,2013-04-17

[4]

圆柱磁控溅射阴极 [P].

王良源 .

中国专利 :CN103114272B ,2013-05-22

[5]

双闭环磁控溅射阴极 [P].

彭寿 ;

吴以军 ;

刘小雨 ;

王宝玉 .

中国专利 :CN106435501A ,2017-02-22

[6]

一种磁控溅射阴极系统 [P].

葛广含 ;

胡述河 ;

刘伟 .

中国专利 :CN114059031A ,2022-02-18

[7]

半圆柱磁控溅射阴极 [P].

郭华聪 .

中国专利 :CN2236500Y ,1996-10-02

[8]

双闭环磁控溅射阴极 [P].

彭寿 ;

吴以军 ;

刘小雨 ;

王宝玉 .

中国专利 :CN206033870U ,2017-03-22

[9]

一种阴极体组件、磁控溅射阴极及磁控溅射装置 [P].

梅艳慧 .

中国专利 :CN208649457U ,2019-03-26

[10]

双面溅射的平面磁控溅射阴极 [P].

徐树深 ;

王瑛 ;

牛亚平 .

中国专利 :CN1439740A ,2003-09-03

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