双面溅射的平面磁控溅射阴极

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN02114602.0

申请日：

2002-05-22

公开(公告)号：

CN1439740A

公开(公告)日：

2003-09-03

发明(设计)人：

徐树深王瑛牛亚平

申请人：

申请人地址：

730050甘肃省兰州市兰工坪85号

IPC主分类号：

C23C1435

IPC分类号：

代理机构：

兰州振华专利代理有限责任公司

代理人：

董斌

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2003-09-03	公开	公开
2005-04-06	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回
2003-11-19	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

平面磁控溅射阴极 [P].

黄登聪 ;

彭立全 .

中国专利 :CN103046009A ,2013-04-17

[2]

平面磁控溅射阴极 [P].

黄登聪 ;

彭立全 .

中国专利 :CN103050358A ,2013-04-17

[3]

电机闭环控制磁控溅射平面阴极装置 [P].

张小波 ;

赵升升 ;

王玉河 .

中国专利 :CN203668503U ,2014-06-25

[4]

电机闭环控制磁控溅射平面阴极装置 [P].

张小波 ;

赵升升 ;

王玉河 .

中国专利 :CN104746023A ,2015-07-01

[5]

一种矩形平面磁控溅射阴极 [P].

彭寿 ;

葛承全 ;

张超群 ;

井治 ;

张仰平 ;

李险峰 .

中国专利 :CN103602953A ,2014-02-26

[6]

一种矩形平面磁控溅射阴极 [P].

彭寿 ;

葛承全 ;

张超群 ;

井治 ;

张仰平 ;

李险峰 .

中国专利 :CN203462120U ,2014-03-05

[7]

一种平面磁控溅射阴极 [P].

朱刚毅 ;

朱刚劲 ;

朱文廓 .

中国专利 :CN108588663A ,2018-09-28

[8]

双闭环磁控溅射阴极 [P].

彭寿 ;

吴以军 ;

刘小雨 ;

王宝玉 .

中国专利 :CN106435501A ,2017-02-22

[9]

磁控溅射阴极系统 [P].

王三军 .

中国专利 :CN107995932A ,2018-05-04

[10]

磁控溅射阴极系统 [P].

王三军 ;

刘圣烈 ;

黄维邦 ;

余晓军 .

中国专利 :CN110770364A ,2020-02-07

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