平面磁控溅射阴极

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专利类型
发明
申请号
CN201110314557.9
申请日
2011-10-17
公开(公告)号
CN103050358A
公开(公告)日
2013-04-17
发明(设计)人
黄登聪 彭立全
申请人
申请人地址
518109 广东省深圳市宝安区龙华镇油松第十工业区东环二路2号
IPC主分类号
H01J3704
IPC分类号
H01J3734
代理机构
代理人
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
平面磁控溅射阴极 [P]. 
黄登聪 ;
彭立全 .
中国专利 :CN103046009A ,2013-04-17
[2]
双面溅射的平面磁控溅射阴极 [P]. 
徐树深 ;
王瑛 ;
牛亚平 .
中国专利 :CN1439740A ,2003-09-03
[3]
一种平面磁控溅射阴极 [P]. 
朱刚毅 ;
朱刚劲 ;
朱文廓 .
中国专利 :CN108588663A ,2018-09-28
[4]
双闭环磁控溅射阴极 [P]. 
彭寿 ;
吴以军 ;
刘小雨 ;
王宝玉 .
中国专利 :CN106435501A ,2017-02-22
[5]
双闭环磁控溅射阴极 [P]. 
彭寿 ;
吴以军 ;
刘小雨 ;
王宝玉 .
中国专利 :CN206033870U ,2017-03-22
[6]
一种矩形平面磁控溅射阴极 [P]. 
陈长琦 ;
郭江涛 ;
王君 .
中国专利 :CN101250687A ,2008-08-27
[7]
一种矩形平面磁控溅射阴极 [P]. 
陈长琦 ;
郭江涛 ;
王君 .
中国专利 :CN201162042Y ,2008-12-10
[8]
一种矩形平面磁控溅射阴极 [P]. 
彭寿 ;
葛承全 ;
张超群 ;
井治 ;
张仰平 ;
李险峰 .
中国专利 :CN103602953A ,2014-02-26
[9]
一种矩形平面磁控溅射阴极 [P]. 
苏宜龙 ;
赵子东 .
中国专利 :CN201981253U ,2011-09-21
[10]
一种矩形平面磁控溅射阴极 [P]. 
彭寿 ;
葛承全 ;
张超群 ;
井治 ;
张仰平 ;
李险峰 .
中国专利 :CN203462120U ,2014-03-05