太赫兹元件、半导体装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201880042706.0

申请日：

2018-06-26

公开(公告)号：

CN110800099A

公开(公告)日：

2020-02-14

发明(设计)人：

向井俊和金在瑛外山智一郎

申请人：

申请人地址：

日本京都府

IPC主分类号：

H01L21822

IPC分类号：

H01L21329 H01L2704 H01L2966 H01L2988 H01Q916 H03B100 H03B708

代理机构：

北京银龙知识产权代理有限公司 11243

代理人：

张敬强;李平

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-03-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/822 申请日:20180626
2020-02-14	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体元件、半导体装置 [P].

小西和也 ;

西康一 ;

古川彰彦 .

日本专利 :CN120857529A ,2025-10-28

[2]

半导体元件、半导体装置 [P].

小西和也 ;

西康一 ;

古川彰彦 .

日本专利 :CN114497200B ,2025-07-18

[3]

半导体元件、半导体装置 [P].

小西和也 ;

西康一 ;

古川彰彦 .

中国专利 :CN114497200A ,2022-05-13

[4]

半导体元件以及半导体装置 [P].

小野瑞城 .

中国专利 :CN101483193B ,2009-07-15

[5]

半导体元件及半导体装置 [P].

内田正雄 .

中国专利 :CN202394977U ,2012-08-22

[6]

半导体元件以及半导体装置 [P].

内田正雄 .

中国专利 :CN102668094B ,2012-09-12

[7]

产生太赫兹辐射的装置以及半导体元件 [P].

卡尔·安特尔瑞纳 ;

戈特弗里德·施特拉塞尔 ;

尤拉伊·道尔莫 ;

安德烈亚斯·施廷格尔 ;

图安·勒 .

中国专利 :CN1639929A ,2005-07-13

[8]

一种半导体元件太赫兹成像装置 [P].

陈刚 ;

徐晓烨 .

中国专利 :CN220399277U ,2024-01-26

[9]

半导体元件、半导体装置、电力变换装置以及半导体元件的制造方法 [P].

吉田基 ;

藤田淳 ;

佐藤祐司 .

中国专利 :CN111788694A ,2020-10-16

[10]

半导体元件、半导体装置、电力变换装置以及半导体元件的制造方法 [P].

吉田基 ;

藤田淳 ;

佐藤祐司 .

日本专利 :CN111788694B ,2024-08-30

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