一种半导体集成芯片和IGBT模块

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202010879846.2
申请日
2020-08-27
公开(公告)号
CN114121946A
公开(公告)日
2022-03-01
发明(设计)人
李迪 刘武平 宁旭斌 肖海波 肖强
申请人
申请人地址
412001 湖南省株洲市石峰区田心高科园半导体三线办公大楼三楼309室
IPC主分类号
H01L2708
IPC分类号
H01L2518
代理机构
北京风雅颂专利代理有限公司 11403
代理人
曾志鹏
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
一种半导体集成芯片和IGBT模块 [P]. 
李迪 ;
刘武平 ;
宁旭斌 ;
肖海波 ;
肖强 .
中国专利 :CN114121946B ,2024-09-06
[2]
一种IGBT芯片及半导体功率模块 [P]. 
左义忠 .
中国专利 :CN110649093A ,2020-01-03
[3]
半导体器件及IGBT芯片 [P]. 
高尚 ;
丛茂杰 ;
陆珏 ;
宋飞 ;
徐旭东 .
中国专利 :CN222442144U ,2025-02-07
[4]
IGBT芯片及半导体功率模块 [P]. 
左义忠 .
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[5]
一种单片集成IGBT和FRD的半导体器件 [P]. 
丁荣军 ;
刘国友 ;
覃荣震 ;
黄建伟 ;
罗海辉 .
中国专利 :CN102044543B ,2011-05-04
[6]
IGBT和半导体器件 [P]. 
T.古特 ;
F.D.普菲尔施 ;
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[7]
一种电路结构和IGBT模块 [P]. 
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[8]
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周党生 ;
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[9]
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王明阳 ;
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[10]
半导体部件、垂直MOSFET、IGBT结构和集成半导体器件 [P]. 
M.维莱迈耶 ;
O.布兰克 .
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