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半导体器件制造方法、等离子处理设备及等离子处理方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN200380100441.9
申请日：
2003-11-20
公开(公告)号：
CN1329974C
公开(公告)日：
2005-11-02
发明(设计)人：
有田洁
申请人：
申请人地址：
日本大阪府
IPC主分类号：
H01L2178
IPC分类号：
H01L2168
代理机构：
北京市柳沈律师事务所
代理人：
陶凤波;侯宇
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2005-12-28 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 |
| 2005-11-02 | 公开 | 公开 |
| 2007-08-01 | 授权 | 授权 |