基座、等离子处理设备及等离子处理方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202510548416.5
申请日
2025-04-28
公开(公告)号
CN120108998A
公开(公告)日
2025-06-06
发明(设计)人
深泽孝之
申请人
深圳市昇维旭技术有限公司
申请人地址
518000 广东省深圳市龙岗区平湖街道辅城坳社区新源三巷1号B栋104
IPC主分类号
H01J37/32
IPC分类号
H01L21/683 H01L21/67
代理机构
深圳市联鼎知识产权代理有限公司 44232
代理人
唐逸飞
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
基座、等离子处理设备及等离子处理方法 [P]. 
深泽孝之 .
中国专利 :CN120108998B ,2025-08-08
[2]
等离子体处理设备 [P]. 
深泽孝之 .
中国专利 :CN120878527A ,2025-10-31
[3]
等离子处理设备的离子屏蔽板 [P]. 
田中一海 .
中国专利 :CN306562532S ,2021-05-25
[4]
等离子体产生设备及等离子体处理设备 [P]. 
尤里·N·托尔马切夫 ;
马东俊 ;
金大一 ;
瑟吉·Y·纳瓦拉 .
中国专利 :CN1652661A ,2005-08-10
[5]
等离子处理设备 [P]. 
曾辉 .
中国专利 :CN114203509A ,2022-03-18
[6]
等离子处理设备 [P]. 
蔡瀚霆 ;
匡友元 .
中国专利 :CN114360999A ,2022-04-15
[7]
等离子处理设备 [P]. 
吴楚辉 ;
王仲培 .
中国专利 :CN218414478U ,2023-01-31
[8]
等离子处理设备 [P]. 
朱鹏涛 .
中国专利 :CN222637221U ,2025-03-18
[9]
半导体器件制造方法、等离子处理设备及等离子处理方法 [P]. 
有田洁 .
中国专利 :CN1329974C ,2005-11-02
[10]
等离子处理设备及其等离子处理腔体 [P]. 
赵芝强 ;
赵公魄 ;
丁雪苗 .
中国专利 :CN108284284A ,2018-07-17