薄膜晶体管基板的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810083158.4

申请日：

2008-03-07

公开(公告)号：

CN101261961B

公开(公告)日：

2008-09-10

发明(设计)人：

金润熙姜镐民

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L2184

IPC分类号：

H01L21768 H01L21336

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

陶凤波

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-03-27	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/84 申请日:20080307 授权公告日:20101215 终止日期:20170307
2009-12-30	实质审查的生效	实质审查的生效
2010-12-15	授权	授权
2012-11-28	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101474551620 IPC(主分类):H01L 21/84 专利号:ZL2008100831584 变更事项:专利权人变更前权利人:三星电子株式会社变更后权利人:三星显示有限公司变更事项:地址变更前权利人:韩国京畿道变更后权利人:韩国京畿道登记生效日:20121029
2008-09-10	公开	公开

共 50 条

[1]

薄膜晶体管、薄膜晶体管阵列基板及其制造方法 [P].

徐铉植 ;

金峰澈 ;

金大元 .

中国专利 :CN103258743A ,2013-08-21

[2]

薄膜晶体管基板制造方法 [P].

林耀楠 .

中国专利 :CN101364572B ,2009-02-11

[3]

薄膜晶体管基板的制造方法和薄膜晶体管基板 [P].

菊池哲郎 ;

大东彻 ;

今井元 ;

铃木正彦 ;

西宫节治 ;

上田辉幸 ;

原健吾 .

中国专利 :CN109599362A ,2019-04-09

[4]

薄膜晶体管基板的制造方法 [P].

傅健忠 .

中国专利 :CN101043025A ,2007-09-26

[5]

薄膜晶体管基板的制造方法 [P].

安生健二 .

中国专利 :CN104253091A ,2014-12-31

[6]

薄膜晶体管、薄膜晶体管的制造方法及阵列基板的制造方法 [P].

方国龙 ;

高逸群 ;

林欣桦 ;

施博理 ;

李志隆 .

中国专利 :CN106298523A ,2017-01-04

[7]

薄膜晶体管、薄膜晶体管基板及其制造方法 [P].

李殷国 ;

金度贤 ;

郑敞午 ;

李制勋 ;

林淳权 .

中国专利 :CN101226901A ,2008-07-23

[8]

薄膜晶体管、薄膜晶体管基板及其制造方法 [P].

李一帆 ;

锺享显 .

中国专利 :CN102569416A ,2012-07-11

[9]

薄膜晶体管基板及其制造 [P].

金一坤 ;

朴泰炯 ;

文国哲 ;

金喆镐 ;

金京勋 ;

金修京 .

中国专利 :CN1917155A ,2007-02-21

[10]

薄膜晶体管基板及其制造方法 [P].

叶冠华 ;

吴宏基 ;

黄荣龙 .

中国专利 :CN101286515A ,2008-10-15

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