一种制备高纯度Ti2AlC块体材料的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710144799.1

申请日：

2007-12-12

公开(公告)号：

CN101186294A

公开(公告)日：

2008-05-28

发明(设计)人：

赫晓东朱春城柏跃磊

申请人：

申请人地址：

150001黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号

IPC主分类号：

C01B3130

IPC分类号：

代理机构：

哈尔滨市松花江专利商标事务所

代理人：

荣玲

法律状态：

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国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-06-09	授权	授权
2014-02-05	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101567530759 IPC(主分类):C01B 31/30 专利号:ZL2007101447991 申请日:20071212 授权公告日:20100609 终止日期:20121212
2008-05-28	公开	公开
2008-07-23	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

一种制备高纯度Ti2AlC块体材料的方法 [P].

赫晓东 ;

朱春城 ;

柏跃磊 .

中国专利 :CN101186295B ,2008-05-28

[2]

一种微波合成Ti2AlC块体材料的方法 [P].

王顺 ;

王晖 ;

王仁杰 ;

关春龙 ;

刘玉明 ;

张莹莹 ;

牛放 ;

赵志伟 .

中国专利 :CN109251033A ,2019-01-22

[3]

制备高纯度、致密的Ti3SiC2块体材料的方法 [P].

赫晓东 ;

朱春城 ;

柏跃磊 .

中国专利 :CN101186296B ,2008-05-28

[4]

一种高纯Ti3AlC2块体材料的制备方法 [P].

贾磊 ;

吕振林 ;

谢辉 ;

方佳 ;

程逞 .

中国专利 :CN102992767B ,2013-03-27

[5]

热压制备高纯度碳化铝钛块体材料的方法 [P].

李世波 ;

贝国平 ;

向卫华 ;

翟洪祥 ;

周洋 .

中国专利 :CN1948220A ,2007-04-18

[6]

一种高纯度的致密WAlB MAB相陶瓷块体材料及其制备方法 [P].

张东亚 ;

施立群 .

中国专利 :CN114276146A ,2022-04-05

[7]

一种高纯度、高性能钛硅碳陶瓷块体材料及其制备方法 [P].

林同伟 ;

熊宁 ;

陈飞雄 ;

孙继洲 .

中国专利 :CN103351164A ,2013-10-16

[8]

高纯度MoAlB陶瓷粉体及致密块体的制备方法 [P].

李世波 ;

刘杰 ;

胡树郡 ;

周洋 ;

李翠伟 ;

黄振莺 ;

翟洪祥 .

中国专利 :CN107512912A ,2017-12-26

[9]

热等静压法制备Ti2SbP块体材料的方法 [P].

严明 ;

杨磊 ;

杨熠 ;

陈艳林 .

中国专利 :CN106699180A ,2017-05-24

[10]

一种Ti<sub>2</sub>AlC粉体材料及其制备方法 [P].

白致铭 ;

苗保记 ;

曹燕格 ;

郭洪波 ;

张欣楠 ;

曲佳旻 .

中国专利 :CN116924803B ,2025-03-25

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