一种用于直流弧放电高密度等离子体发生器的阳极底座

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201220265561.0

申请日：

2012-06-07

公开(公告)号：

CN202697018U

公开(公告)日：

2013-01-23

发明(设计)人：

芶富均

申请人：

申请人地址：

550000 贵州省贵阳市花溪区贵州大学北区教工集体宿舍

IPC主分类号：

H05H134

IPC分类号：

H05H128

代理机构：

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法律状态：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-01-23	授权	授权
2014-07-30	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101584062897 IPC(主分类):H05H 1/34 专利号:ZL2012202655610 申请日:20120607 授权公告日:20130123 终止日期:20130607

共 50 条

[1]

用于直流弧放电高密度等离子体发生装置的放电腔室 [P].

芶富均 .

中国专利 :CN202697017U ,2013-01-23

[2]

一种用于直流弧放电高密度等离子体发生装置的冷却板 [P].

陈波 .

中国专利 :CN202465873U ,2012-10-03

[3]

一种用于直流弧放电高密度等离子体发生装置的冷却板 [P].

芶富均 .

中国专利 :CN204335131U ,2015-05-13

[4]

一种高密度NH3+SiH4弧放电等离子体发生装置 [P].

芶富均 .

中国专利 :CN204145870U ,2015-02-04

[5]

一种高密度NH3+SiH4弧放电等离子体发生装置 [P].

陈波 .

中国专利 :CN202473623U ,2012-10-03

[6]

一种用于弧放电高密度等离子体发生装置的阴极电极 [P].

陈波 .

中国专利 :CN202465872U ,2012-10-03

[7]

高密度等离子体发生装置 [P].

周倩倩 ;

胡炜杰 ;

王红飞 ;

王浩静 .

中国专利 :CN105554995A ,2016-05-04

[8]

等离子体发生器的阳极结构及等离子体发生器 [P].

杨锡信 ;

王学东 ;

杨金华 .

中国专利 :CN204335130U ,2015-05-13

[9]

等离子体发生器阳极 [P].

张浩 ;

张超 ;

李顺波 .

中国专利 :CN309309536S ,2025-05-27

[10]

等离子体发生器阳极 [P].

张浩 ;

熊新 .

中国专利 :CN307258633S ,2022-04-12

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