一种用于直流弧放电高密度等离子体发生装置的冷却板

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201420180803.5

申请日：

2014-04-15

公开(公告)号：

CN204335131U

公开(公告)日：

2015-05-13

发明(设计)人：

芶富均

申请人：

申请人地址：

550000 贵州省贵阳市花溪区贵州大学北区教工集体宿舍

IPC主分类号：

H05H134

IPC分类号：

H05K720

代理机构：

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法律状态：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-05-13	授权	授权
2015-06-03	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101715925152 IPC(主分类):H05H 1/34 专利号:ZL2014201808035 变更事项:专利权人变更前权利人:芶富均变更后权利人:成都达信成科技有限公司变更事项:地址变更前权利人:550000 贵州省贵阳市花溪区贵州大学北区教工集体宿舍变更后权利人:610200 四川省成都市双流西南航空港经济开发区工业集中区(西航港科技孵化园) 登记生效日:20150514

共 50 条

[1]

一种用于直流弧放电高密度等离子体发生装置的冷却板 [P].

陈波 .

中国专利 :CN202465873U ,2012-10-03

[2]

用于直流弧放电高密度等离子体发生装置的放电腔室 [P].

芶富均 .

中国专利 :CN202697017U ,2013-01-23

[3]

一种用于弧放电高密度等离子体发生装置的阴极电极 [P].

陈波 .

中国专利 :CN202465872U ,2012-10-03

[4]

一种用于直流弧放电高密度等离子体发生器的阳极底座 [P].

芶富均 .

中国专利 :CN202697018U ,2013-01-23

[5]

高密度等离子体发生装置 [P].

周倩倩 ;

胡炜杰 ;

王红飞 ;

王浩静 .

中国专利 :CN105554995A ,2016-05-04

[6]

一种高密度NH3+SiH4弧放电等离子体发生装置 [P].

芶富均 .

中国专利 :CN204145870U ,2015-02-04

[7]

一种高密度NH3+SiH4弧放电等离子体发生装置 [P].

陈波 .

中国专利 :CN202473623U ,2012-10-03

[8]

一种三阴极多级直流弧放电等离子体发生装置 [P].

陈波 .

中国专利 :CN202111925U ,2012-01-11

[9]

一种单阴极多级直流弧放电等离子体发生装置 [P].

陈波 .

中国专利 :CN202095169U ,2011-12-28

[10]

一种扁平型大面积高密度直流弧放电等离子体源 [P].

周海山 ;

袁小刚 ;

罗广南 ;

李波 ;

李建刚 .

中国专利 :CN109951945A ,2019-06-28

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