半导体元件

被引：0

专利类型：

外观设计

申请号：

CN201930431332.9

申请日：

2019-08-09

公开(公告)号：

CN305625412S

公开(公告)日：

2020-02-21

发明(设计)人：

山内宏哉川濑达也猪口诚一郎东川直树

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

1303

IPC分类号：

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司 11127

代理人：

顾缨;王小东

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-02-21	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体元件 [P].

横山修平 ;

柴田祥吾 .

中国专利 :CN307651644S ,2022-11-11

[2]

半导体元件 [P].

横山修平 ;

长谷川真纪 ;

森茂 .

中国专利 :CN304705069S ,2018-06-29

[3]

半导体元件 [P].

米山玲 ;

青木伸亲 ;

塚本英树 ;

山下秋彦 ;

安藤正之 .

中国专利 :CN304689377S ,2018-06-19

[4]

半导体元件 [P].

田口晶英 ;

大河亮介 ;

今井俊和 .

中国专利 :CN305750662S ,2020-05-01

[5]

半导体元件 [P].

大河亮介 ;

今井俊和 ;

吉田一磨 ;

井上翼 ;

今村武司 .

中国专利 :CN305630931S ,2020-02-28

[6]

半导体元件 [P].

石田敏史 ;

高桥健介 .

中国专利 :CN306092532S ,2020-10-09

[7]

半导体元件 [P].

新井寿和 .

中国专利 :CN301538440S ,2011-05-04

[8]

半导体元件 [P].

川濑达也 ;

宫本升 ;

石原三纪夫 .

中国专利 :CN302760124S ,2014-03-12

[9]

半导体元件 [P].

米山玲 ;

荒木健宏 ;

木村义孝 ;

后藤章 ;

山下秋彦 ;

小野真理子 ;

后藤亮 .

中国专利 :CN303438897S ,2015-11-11

[10]

半导体元件 [P].

白田修 ;

日高勇介 .

中国专利 :CN305491897S ,2019-12-13

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