半导体元件

被引：0

专利类型：

外观设计

申请号：

CN202030216071.1

申请日：

2020-05-13

公开(公告)号：

CN306092532S

公开(公告)日：

2020-10-09

发明(设计)人：

石田敏史高桥健介

申请人：

申请人地址：

日本京都府

IPC主分类号：

1303

IPC分类号：

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

海坤

法律状态：

授权

国省代码：

引用

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-10-09	授权	授权
2021-01-26	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更主分类号:13-03 变更事项:专利权人变更前:松下半导体解决方案株式会社变更后:新唐科技日本株式会社变更事项:地址变更前:日本京都府变更后:日本京都府

共 50 条

[1]

半导体元件 [P].

田口晶英 ;

大河亮介 ;

今井俊和 .

中国专利 :CN305750662S ,2020-05-01

[2]

半导体元件 [P].

大河亮介 ;

今井俊和 ;

吉田一磨 ;

井上翼 ;

今村武司 .

中国专利 :CN305630931S ,2020-02-28

[3]

半导体元件 [P].

横山修平 ;

柴田祥吾 .

中国专利 :CN307651644S ,2022-11-11

[4]

半导体元件 [P].

新井寿和 .

中国专利 :CN301538440S ,2011-05-04

[5]

半导体元件 [P].

川濑达也 ;

宫本升 ;

石原三纪夫 .

中国专利 :CN302760124S ,2014-03-12

[6]

半导体元件 [P].

山内宏哉 ;

川濑达也 ;

猪口诚一郎 ;

东川直树 .

中国专利 :CN305625412S ,2020-02-21

[7]

半导体元件 [P].

米山玲 ;

荒木健宏 ;

木村义孝 ;

后藤章 ;

山下秋彦 ;

小野真理子 ;

后藤亮 .

中国专利 :CN303438897S ,2015-11-11

[8]

半导体元件 [P].

白田修 ;

日高勇介 .

中国专利 :CN305491897S ,2019-12-13

[9]

半导体元件 [P].

生田将理 ;

上田菜生 ;

山本晋吾 ;

高真祐 .

日本专利 :CN308793652S ,2024-08-20

[10]

半导体元件 [P].

于龙杰 ;

孙文炳 .

中国专利 :CN307481002S ,2022-08-02

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