PECVD提高氧化铝背膜钝化效果的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110421693.1

申请日：

2021-04-20

公开(公告)号：

CN113293358A

公开(公告)日：

2021-08-24

发明(设计)人：

蒋万昌王森栋

申请人：

申请人地址：

046000 山西省长治市郊区漳泽新型工业园区

IPC主分类号：

C23C1640

IPC分类号：

C23C1630 C23C1634 C23C1650 H01L310216 H01L3118

代理机构：

太原市科瑞达专利代理有限公司 14101

代理人：

李富元

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-09-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 16/40 申请日:20210420
2021-08-24	公开	公开

共 50 条

[1]

用于制备氧化铝膜的PECVD装置 [P].

陈五奎 ;

刘强 ;

耿荣军 ;

陈辉 ;

石平 .

中国专利 :CN208980792U ,2019-06-14

[2]

氧化铝钝化层的制备方法、氧化铝钝化层及TBC电池 [P].

叶文兰 ;

张杨 ;

万超 ;

潘彬彬 .

中国专利 :CN120786978A ,2025-10-14

[3]

氧化铝膜制备装置 [P].

陈五奎 ;

刘强 ;

徐文州 ;

陈磊 ;

庞坤 .

中国专利 :CN109023301A ,2018-12-18

[4]

氧化铝膜制备装置 [P].

陈五奎 ;

刘强 ;

陈磊 ;

徐文州 ;

查恩 .

中国专利 :CN208980793U ,2019-06-14

[5]

避开氧化铝钝化的PERC电池和电池钝化层的制作方法 [P].

杨苏平 ;

陈刚 ;

吴疆 ;

林纲正 .

中国专利 :CN113659032A ,2021-11-16

[6]

用于氧化铝膜的制备装置 [P].

陈五奎 ;

刘强 ;

陈嘉豪 ;

徐文州 ;

陈磊 .

中国专利 :CN209098806U ,2019-07-12

[7]

一种氧化铝制备设备、氧化铝膜制备方法及氧化铝膜 [P].

于钦芳 ;

罗万里 .

中国专利 :CN118703933A ,2024-09-27

[8]

用于制备硅片表面氧化铝膜的装置 [P].

陈五奎 ;

刘强 ;

曹卫宏 ;

任超 ;

陈磊 .

中国专利 :CN208980794U ,2019-06-14

[9]

一种PERC高效氧化铝钝化膜层结构 [P].

薛博文 ;

胡琴 ;

张飞 ;

孙铁囤 .

中国专利 :CN221928094U ,2024-10-29

[10]

晶硅太阳电池氧化铝钝化膜的PECVD沉积工艺 [P].

许烁烁 ;

刘良玉 ;

舒庆予 .

中国专利 :CN106435522A ,2017-02-22

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