一种提高旋转靶材利用率的溅射方法及溅射设备

被引：0

申请号：

CN202210506190.9

申请日：

2022-05-10

公开(公告)号：

CN114774877A

公开(公告)日：

2022-07-22

发明(设计)人：

张永胜解传佳武瑞军莫超超杨肸曦彭孝龙周振国

申请人：

申请人地址：

215200 江苏省苏州市吴江区芦荡路228号

IPC主分类号：

C23C1454

IPC分类号：

C23C1435

代理机构：

北京品源专利代理有限公司 11332

代理人：

李林

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-08-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 14/54 申请日:20220510
2022-07-22	公开	公开

共 50 条

[1]

提高靶材利用率的溅射方法、溅射阴极装置及溅射设备 [P].

解传佳 ;

武瑞军 ;

张永胜 ;

罗金豪 ;

潘俊杰 ;

周振国 .

中国专利 :CN116855909B ,2024-10-01

[2]

提高靶材利用率的磁控溅射靶及控制方法、磁控溅射设备 [P].

郭挑远 .

中国专利 :CN119194383A ,2024-12-27

[3]

一种可提高靶材利用率的磁控溅射靶 [P].

宫骏 ;

肖金泉 ;

孙超 ;

华伟刚 ;

刘山川 ;

王启民 ;

王铁钢 ;

裴志亮 ;

闻立时 .

中国专利 :CN1621559A ,2005-06-01

[4]

一种可提高溅射工艺靶材利用率的方法 [P].

王磊 ;

邱勇 ;

黄秀颀 ;

高孝裕 ;

魏朝刚 .

中国专利 :CN101921989A ,2010-12-22

[5]

一种用于提高磁控溅射镀膜靶材利用率的靶材 [P].

周航锋 ;

贺伟 ;

侍进山 ;

徐博文 ;

李景 ;

李信 ;

陈武 ;

万禄兵 .

中国专利 :CN203947153U ,2014-11-19

[6]

一种用于磁控溅射镀膜提高靶材利用率的方法及系统 [P].

夏白杨 ;

明松 .

中国专利 :CN121023456A ,2025-11-28

[7]

一种可提高靶材利用率的平面磁控溅射阴极 [P].

陈理 ;

李国强 .

中国专利 :CN101418433A ,2009-04-29

[8]

一种可提高靶材利用率的平面磁控溅射阴极 [P].

陈理 ;

李国强 .

中国专利 :CN201301340Y ,2009-09-02

[9]

一种提高磁控溅射靶材利用率的方法 [P].

毛思宁 ;

程远达 ;

程其兵 ;

陈箫箫 .

中国专利 :CN119876877A ,2025-04-25

[10]

一种可提高靶材利用率的磁控溅射靶 [P].

范玉山 ;

张梓江 .

中国专利 :CN113981394A ,2022-01-28

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