蚀刻速率测试方法

被引：0

申请号：

CN202211028819.X

申请日：

2022-08-26

公开(公告)号：

CN115101436B

公开(公告)日：

2022-09-23

发明(设计)人：

欧阳文森王胜林

申请人：

申请人地址：

510700 广东省广州市黄埔区凤凰五路28号

IPC主分类号：

H01L2166

IPC分类号：

G01B1106

代理机构：

深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 44651

代理人：

刘婧

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-09-23	公开	公开
2022-11-29	授权	授权

共 50 条

[1]

一种蚀刻液蚀刻速率测试装置及测试方法 [P].

郑基柱 ;

张成宇 ;

张宇峰 ;

沈剑南 ;

陈晓初 ;

沙永华 .

中国专利 :CN117388298A ,2024-01-12

[2]

一种蚀刻液蚀刻速率测试装置及测试方法 [P].

李辉 ;

申胜男 ;

于凯 ;

盛家正 .

中国专利 :CN112730146B ,2021-04-30

[3]

一种蚀刻液的蚀刻速率测试装置 [P].

向可阳 ;

邱双亮 .

中国专利 :CN119470138A ,2025-02-18

[4]

一种蚀刻液的蚀刻速率测试装置 [P].

向可阳 ;

邱双亮 .

中国专利 :CN118518530A ,2024-08-20

[5]

一种用于金属蚀刻液的蚀刻速率测试装置及检测方法 [P].

俞丞 ;

顾书春 ;

冯凯 .

中国专利 :CN121026932A ,2025-11-28

[6]

湿法蚀刻方法 [P].

唐磊 ;

邱宗钰 ;

陈庆鸿 .

中国专利 :CN119049965A ,2024-11-29

[7]

半导体材料生长速率的测试方法 [P].

王俊 ;

张钒璐 ;

李顺峰 ;

赵武 ;

杨文帆 .

中国专利 :CN118168882B ,2024-10-11

[8]

半导体材料生长速率的测试方法 [P].

王俊 ;

张钒璐 ;

李顺峰 ;

赵武 ;

杨文帆 .

中国专利 :CN118168882A ,2024-06-11

[9]

一种蚀刻速率稳定的铜蚀刻液 [P].

李少平 ;

钟昌东 ;

郝晓斌 ;

贺兆波 ;

张演哲 ;

张庭 ;

蔡步林 ;

万杨阳 ;

王书萍 ;

冯凯 ;

尹印 ;

李鑫 ;

景继磊 .

中国专利 :CN111647889A ,2020-09-11

[10]

蚀刻方法和蚀刻系统 [P].

吴鑫 ;

郑波 ;

马振国 ;

王晓娟 ;

王春 .

中国专利 :CN107464749A ,2017-12-12

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