半导体硫化物纳米管阵列及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710027519.9

申请日：

2007-04-12

公开(公告)号：

CN101074492A

公开(公告)日：

2007-11-21

发明(设计)人：

任山白云帆胡卓峰卢灿荣许宁生

申请人：

申请人地址：

510275广东省广州市海珠区新港西路135号

IPC主分类号：

C30B2946

IPC分类号：

代理机构：

广州市华学知识产权代理有限公司

代理人：

陈燕娴

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-09-22	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101007827328 IPC(主分类):C30B 29/46 专利申请号:2007100275199 公开日:20071121
2008-01-16	实质审查的生效	实质审查的生效
2007-11-21	公开	公开

共 50 条

[1]

硫化物半导体纳米线的制备方法 [P].

陈淼 ;

娄文静 ;

张亚男 ;

王晓波 .

中国专利 :CN1986911A ,2007-06-27

[2]

一种制备非层状硫化物纳米管的方法 [P].

杨德仁 ;

张辉 ;

马向阳 ;

阙端麟 .

中国专利 :CN1328157C ,2006-08-23

[3]

纳米管半导体器件及其制备方法 [P].

哈姆扎·依玛兹 ;

王晓彬 ;

安荷·叭剌 ;

陈军 ;

常虹 .

中国专利 :CN101924137B ,2010-12-22

[4]

一种直径可控的硫化物半导体纳米线阵列的制备方法 [P].

于文惠 ;

王达健 ;

陆启飞 .

中国专利 :CN1995476A ,2007-07-11

[5]

过渡金属的硫化物纳米管与制备方法及其应用 [P].

陈军 ;

李锁龙 ;

陶占良 ;

蔡锋石 ;

徐丽娜 .

中国专利 :CN1155522C ,2003-04-30

[6]

纳米管阵列制备方法、纳米管阵列及器件 [P].

金传洪 ;

汪博 ;

任锡标 ;

张志勇 .

中国专利 :CN119284827B ,2025-07-08

[7]

纳米管阵列制备方法、纳米管阵列及器件 [P].

金传洪 ;

汪博 ;

任锡标 ;

张志勇 .

中国专利 :CN119284827A ,2025-01-10

[8]

一种半导体金属-有机晶体纳米管阵列及其制备方法和应用 [P].

何军 ;

胡洁颖 ;

杨欣楼 ;

刘智清 ;

董家乐 .

中国专利 :CN115028854A ,2022-09-09

[9]

三维半导体纳米结构阵列及其制备方法 [P].

任山 ;

吴起白 ;

赖灿雄 ;

龚晓丹 ;

许宁生 ;

陈军 .

中国专利 :CN1872659A ,2006-12-06

[10]

一种金属氧化物、硫化物纳米线阵列的制备方法 [P].

田博之 ;

刘晓英 ;

李彦光 ;

李想 ;

屠波 ;

赵东元 .

中国专利 :CN1308243C ,2005-04-27

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