一种直径可控的硫化物半导体纳米线阵列的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610130327.6

申请日：

2006-12-18

公开(公告)号：

CN1995476A

公开(公告)日：

2007-07-11

发明(设计)人：

于文惠王达健陆启飞

申请人：

申请人地址：

300191天津市南开区红旗南路263号

IPC主分类号：

C25D904

IPC分类号：

B82B300

代理机构：

天津佳盟知识产权代理有限公司

代理人：

侯力

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-02-10	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回
2007-09-05	实质审查的生效	实质审查的生效
2007-07-11	公开	公开

共 50 条

[1]

硫化物半导体纳米线的制备方法 [P].

陈淼 ;

娄文静 ;

张亚男 ;

王晓波 .

中国专利 :CN1986911A ,2007-06-27

[2]

一种直径可控的金属纳米线阵列的制备方法 [P].

于文惠 ;

王达健 .

中国专利 :CN1995468A ,2007-07-11

[3]

一种直径可控的纳米管阵列的制备方法 [P].

于文惠 ;

王达健 .

中国专利 :CN1995475A ,2007-07-11

[4]

半导体纳米线有序阵列分布的制备方法 [P].

邱凯 ;

周天微 ;

左玉华 .

中国专利 :CN104051576A ,2014-09-17

[5]

半导体硫化物纳米管阵列及其制备方法 [P].

任山 ;

白云帆 ;

胡卓峰 ;

卢灿荣 ;

许宁生 .

中国专利 :CN101074492A ,2007-11-21

[6]

一种多元硫化物半导体纳米材料的可控制备方法 [P].

暴宁钟 ;

黄凯 ;

高凌 ;

庞超 ;

郭国标 ;

张晓艳 .

中国专利 :CN105152228A ,2015-12-16

[7]

一种硫化镍纳米线阵列的制备方法 [P].

程亮 ;

田永涛 ;

赵晓峰 ;

贾天世 ;

徐玉睿 ;

王文闯 ;

李新建 .

中国专利 :CN101736377A ,2010-06-16

[8]

一种最优光电效能的半导体纳米线阵列制备方法 [P].

夏辉 ;

童中英 ;

李天信 ;

陈平平 ;

卢振宇 ;

张健 ;

姚晓梅 ;

张旭涛 ;

唐舟 .

中国专利 :CN107248537A ,2017-10-13

[9]

一种金属氧化物、硫化物纳米线阵列的制备方法 [P].

田博之 ;

刘晓英 ;

李彦光 ;

李想 ;

屠波 ;

赵东元 .

中国专利 :CN1308243C ,2005-04-27

[10]

一种金属硫化物半导体纳米晶的制备方法 [P].

吴庆生 ;

刘金库 ;

丁亚平 .

中国专利 :CN1522953A ,2004-08-25

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