一种多元硫化物半导体纳米材料的可控制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510262386.8

申请日：

2015-05-21

公开(公告)号：

CN105152228A

公开(公告)日：

2015-12-16

发明(设计)人：

暴宁钟黄凯高凌庞超郭国标张晓艳

申请人：

申请人地址：

211816 江苏省南京市浦口区浦珠南路30号

IPC主分类号：

C01G4912

IPC分类号：

C01G1900 B82Y3000

代理机构：

南京天华专利代理有限责任公司 32218

代理人：

徐冬涛;袁正英

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-01-13	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101642490882 IPC(主分类):C01G 49/12 专利申请号:2015102623868 申请日:20150521
2015-12-16	公开	公开
2018-03-20	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 31/0296 申请公布日:20151216

共 50 条

[1]

一种制备IIB族半导体硫化物纳米材料的方法 [P].

陈云 ;

吴庆生 ;

丁亚平 .

中国专利 :CN1719578A ,2006-01-11

[2]

一种染料敏化金属硫化物半导体纳米材料的制备方法 [P].

张法智 ;

常佳朋 ;

刘鑫 .

中国专利 :CN103240125A ,2013-08-14

[3]

一种通用多元金属硫化物纳米材料的制备方法 [P].

王强斌 ;

邓满姣 ;

张叶俊 ;

沈淑玲 .

中国专利 :CN102633297A ,2012-08-15

[4]

一种三元铜基硫化物半导体纳米材料的制备方法 [P].

孟祥 ;

程江 ;

唐华 ;

李璐 .

中国专利 :CN110092418A ,2019-08-06

[5]

硫化物半导体纳米线的制备方法 [P].

陈淼 ;

娄文静 ;

张亚男 ;

王晓波 .

中国专利 :CN1986911A ,2007-06-27

[6]

一种直径可控的硫化物半导体纳米线阵列的制备方法 [P].

于文惠 ;

王达健 ;

陆启飞 .

中国专利 :CN1995476A ,2007-07-11

[7]

一种金属硫化物半导体纳米晶的制备方法 [P].

吴庆生 ;

刘金库 ;

丁亚平 .

中国专利 :CN1522953A ,2004-08-25

[8]

一种多元金属硫化物半导体光催化材料及其制备方法 [P].

黄建辉 ;

陈建琴 ;

林伟 .

中国专利 :CN103894211A ,2014-07-02

[9]

一种纳米金属硫化物复合半导体光催化材料的制备方法 [P].

张法智 ;

鲁瑞娟 ;

徐新 ;

徐赛龙 ;

段雪 .

中国专利 :CN101664686B ,2010-03-10

[10]

半导体硫化物纳米管阵列及其制备方法 [P].

任山 ;

白云帆 ;

胡卓峰 ;

卢灿荣 ;

许宁生 .

中国专利 :CN101074492A ,2007-11-21

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