结晶性硅晶片的织构蚀刻液组合物及织构蚀刻方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201280051761.9

申请日：

2012-09-05

公开(公告)号：

CN103890139A

公开(公告)日：

2014-06-25

发明(设计)人：

洪亨杓李在连朴勉奎林大成

申请人：

申请人地址：

韩国全罗北道益山市

IPC主分类号：

C09K1300

IPC分类号：

H01L3118

代理机构：

北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291

代理人：

杨黎峰;石磊

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-07-16	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101583892453 IPC(主分类):C09K 13/00 专利申请号:2012800517619 申请日:20120905
2016-06-22	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101734391974 IPC(主分类):C09K 13/00 专利申请号:2012800517619 申请公布日:20140625
2014-06-25	公开	公开

共 50 条

[1]

结晶性硅晶片的织构蚀刻液组合物及织构蚀刻方法 [P].

朴勉奎 ;

洪亨杓 ;

林大成 .

中国专利 :CN104294368A ,2015-01-21

[2]

结晶性硅片的纹理蚀刻液组合物和纹理蚀刻方法 [P].

林大成 ;

洪亨杓 ;

李承洙 .

中国专利 :CN104928680A ,2015-09-23

[3]

结晶性硅片的纹理蚀刻液组合物和纹理蚀刻方法 [P].

林大成 ;

洪亨杓 ;

朴勉奎 ;

崔亨燮 .

中国专利 :CN106062132A ,2016-10-26

[4]

蚀刻液组合物及蚀刻方法 [P].

罗致远 ;

黄若涵 ;

吴光耀 ;

黄宜琤 ;

卢厚德 .

中国专利 :CN104611701A ,2015-05-13

[5]

蚀刻液组合物及蚀刻方法 [P].

河野良 ;

清水寿和 .

中国专利 :CN105297022A ,2016-02-03

[6]

蚀刻液组合物及使用该蚀刻液组合物的蚀刻方法 [P].

廖本男 ;

廖伯轩 ;

张善钧 ;

李盈壕 ;

吕志鹏 .

中国专利 :CN105887089B ,2016-08-24

[7]

蚀刻液组合物及蚀刻方法 [P].

黄若涵 ;

吴光耀 ;

黄宜琤 ;

罗致远 ;

卢厚德 .

中国专利 :CN104611700A ,2015-05-13

[8]

蚀刻液组合物及蚀刻方法 [P].

勇谦司 ;

木村真弓 ;

田湖次广 .

中国专利 :CN103125017B ,2013-05-29

[9]

蚀刻液组合物和蚀刻方法 [P].

青木珠美 ;

正元祐次 ;

斋尾佳秀 ;

石崎隼郎 .

中国专利 :CN109844910A ,2019-06-04

[10]

蚀刻液组合物以及蚀刻方法 [P].

石崎隼郎 ;

大宫大辅 .

中国专利 :CN108028198A ,2018-05-11

← 1 2 3 4 5 →