多晶硅离子注入工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910201684.0

申请日：

2009-10-15

公开(公告)号：

CN102044420A

公开(公告)日：

2011-05-04

发明(设计)人：

陈福成

申请人：

申请人地址：

201206 上海市浦东新区川桥路1188号

IPC主分类号：

H01L21266

IPC分类号：

H01L21314 H01L2128 C09K1304 C09K1308

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

陈平

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-06-15	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101080109984 IPC(主分类):H01L 21/266 专利申请号:2009102016840 申请日:20091015
2011-05-04	公开	公开
2013-08-21	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101651857180 IPC(主分类):H01L 21/266 专利申请号:2009102016840 申请公布日:20110504

共 50 条

[1]

多晶硅中砷离子注入方法 [P].

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN120015614A ,2025-05-16

[2]

槽刻蚀及多晶硅注入工艺 [P].

汪大祥 ;

孔天午 ;

刘启星 ;

刘丽 ;

钱慧 ;

胡竹平 ;

蒋丽萍 ;

杨青森 .

中国专利 :CN101859698B ,2010-10-13

[3]

多晶硅在离子注入后的快速退火方法 [P].

平梁良 .

中国专利 :CN103515224A ,2014-01-15

[4]

多晶硅薄膜晶体管离子注入机 [P].

付国柱 ;

邵喜斌 ;

荆海 ;

廖燕平 ;

高文涛 ;

史辉琨 .

中国专利 :CN2672854Y ,2005-01-19

[5]

一种多晶硅栅电极的离子注入方法 [P].

陈清 ;

蒋玮玲 .

中国专利 :CN103390546A ,2013-11-13

[6]

离子注入工艺的监控方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN108109933B ,2018-06-01

[7]

多晶硅薄膜 [P].

赵淑云 ;

郭海成 ;

王文 .

中国专利 :CN102956678A ,2013-03-06

[8]

多晶硅淀积工艺 [P].

汪大祥 ;

孔天午 ;

刘启星 ;

刘丽 ;

钱慧 ;

胡竹平 ;

蒋丽萍 ;

杨青森 .

中国专利 :CN101859699A ,2010-10-13

[9]

金属硅化钨栅极工艺中多晶硅电阻的制造方法 [P].

陈瑜 ;

赵阶喜 ;

罗啸 .

中国专利 :CN103779199A ,2014-05-07

[10]

多晶硅还原系统和多晶硅还原工艺 [P].

石何武 ;

张升学 ;

陈贵娥 ;

郑红梅 ;

杨永亮 .

中国专利 :CN111892057A ,2020-11-06

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