用于抛光铜线的CMP浆料组合物及使用其的抛光方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201580073046.9

申请日：

2015-10-12

公开(公告)号：

CN107109135A

公开(公告)日：

2017-08-29

发明(设计)人：

卢钟一姜东宪郑正焕崔渶楠

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

C09G102

IPC分类号：

H01L21304

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司 11240

代理人：

张英;宫传芝

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-12-25	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/304 申请公布日:20170829
2017-09-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101749364363 IPC(主分类):C09G 1/02 专利申请号:2015800730469 申请日:20151012
2017-08-29	公开	公开

共 50 条

[1]

用于抛光铜的CMP浆料组合物及使用其的抛光方法 [P].

辛奈律 ;

金元中 ;

都均奉 ;

黄基煜 .

中国专利 :CN109153887A ,2019-01-04

[2]

用于抛光铜的CMP浆料组合物和使用其的抛光方法 [P].

卢钟一 ;

姜东宪 ;

金泰完 ;

郑正焕 ;

崔渶楠 ;

洪昌基 .

中国专利 :CN104884563A ,2015-09-02

[3]

用于金属线的CMP浆料组合物及使用其的抛光方法 [P].

李昭滢 ;

都均奉 ;

金东珍 ;

安江洙 ;

郑荣哲 .

中国专利 :CN106883767A ,2017-06-23

[4]

用于抛光多晶硅的CMP浆料组合物及利用其的抛光方法 [P].

李在祐 ;

金智慧 ;

崔辅爀 .

中国专利 :CN113260687A ,2021-08-13

[5]

用于有机膜的CMP浆料组合物及使用其的抛光方法 [P].

俞龙植 ;

崔正敏 ;

姜东宪 ;

金泰完 ;

金古恩 ;

金容国 .

中国专利 :CN106687553A ,2017-05-17

[6]

CMP浆料组合物和使用其的抛光方法 [P].

卢炫秀 ;

金东珍 ;

朴容淳 ;

金容国 ;

郑荣哲 .

中国专利 :CN103184011B ,2013-07-03

[7]

用于抛光铜的CMP浆料组成物和使用其抛光铜的方法 [P].

崔世荣 ;

黄慈英 ;

沈秀姸 ;

丁元钟 ;

卢健培 .

韩国专利 :CN119220980A ,2024-12-31

[8]

有机膜CMP浆料组合物和使用其的抛光方法 [P].

崔正敏 ;

郑荣哲 ;

金廷熙 ;

姜东宪 .

中国专利 :CN111315836A ,2020-06-19

[9]

CMP浆料组合物及抛光方法 [P].

申东穆 ;

崔银美 ;

曹升范 .

中国专利 :CN102648265A ,2012-08-22

[10]

制造铜互连的阻挡层抛光的CMP浆料组合物、使用其的抛光方法及通过其制造的半导体器件 [P].

李泰永 ;

李仁庆 ;

崔炳镐 ;

朴容淳 .

中国专利 :CN101768412A ,2010-07-07

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