用于抛光铜的CMP浆料组成物和使用其抛光铜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410117684.7

申请日：

2024-01-29

公开(公告)号：

CN119220980A

公开(公告)日：

2024-12-31

发明(设计)人：

崔世荣黄慈英沈秀姸丁元钟卢健培

申请人：

三星SDI株式会社

申请人地址：

韩国京畿道龙仁市器兴区贡税路150-20号

IPC主分类号：

C23F3/04

IPC分类号：

C23F3/06 C09G1/02

代理机构：

北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205

代理人：

刘丹;黄健

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-12-31	公开	公开
2025-01-17	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C23F 3/04申请日:20240129

共 50 条

[1]

用于抛光铜的CMP浆料组合物和使用其的抛光方法 [P].

卢钟一 ;

姜东宪 ;

金泰完 ;

郑正焕 ;

崔渶楠 ;

洪昌基 .

中国专利 :CN104884563A ,2015-09-02

[2]

用于抛光铜的CMP浆料组合物及使用其的抛光方法 [P].

辛奈律 ;

金元中 ;

都均奉 ;

黄基煜 .

中国专利 :CN109153887A ,2019-01-04

[3]

用于抛光铜阻障层的CMP浆料组成物 [P].

李昇勋 ;

李昇炫 ;

金胜焕 ;

朴庆一 .

韩国专利 :CN119487140A ,2025-02-18

[4]

用于抛光铜膜的CMP浆料组合物和用其抛光铜膜的方法 [P].

金亨默 ;

张根三 ;

姜东宪 ;

李锺元 .

中国专利 :CN112680109B ,2021-04-20

[5]

CMP浆料组成物和使用其抛光图案化钨晶片的方法 [P].

李知虎 ;

朴泰远 ;

金元中 ;

李义郎 .

中国专利 :CN111732898B ,2020-10-02

[6]

用于抛光铜膜的CMP浆液组合物以及使用其抛光铜膜的方法 [P].

李泳基 ;

金亨默 ;

辛奈律 ;

姜东宪 ;

朴泰远 .

中国专利 :CN110819237A ,2020-02-21

[7]

用于有机膜的CMP浆料组合物及使用其的抛光方法 [P].

俞龙植 ;

崔正敏 ;

姜东宪 ;

金泰完 ;

金古恩 ;

金容国 .

中国专利 :CN106687553A ,2017-05-17

[8]

用于抛光铜线的CMP浆料组合物及使用其的抛光方法 [P].

卢钟一 ;

姜东宪 ;

郑正焕 ;

崔渶楠 .

中国专利 :CN107109135A ,2017-08-29

[9]

CMP浆料组合物和使用其的抛光方法 [P].

卢炫秀 ;

金东珍 ;

朴容淳 ;

金容国 ;

郑荣哲 .

中国专利 :CN103184011B ,2013-07-03

[10]

对铜进行抛光的化学机械抛光浆料组合物及铜膜抛光方法 [P].

沈秀姸 ;

李知虎 ;

金龙国 ;

崔世荣 ;

黄慈英 ;

金廷熙 .

韩国专利 :CN116515399B ,2025-07-25

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