学术探索
学术期刊
学术作者
新闻热点
数据分析
智能评审

选择性形成含金属膜的方法

被引：0
申请号：
CN202180011039.1
申请日：
2021-02-01
公开(公告)号：
CN115003853A
公开(公告)日：
2022-09-02
发明(设计)人：
乔比·艾尔多 雅各布·伍德拉夫 肖恩·圣恩·洪（曾用名：洪圣恩） 拉文德拉·坎乔利亚 查里斯·纳纳亚卡拉 查尔斯·德泽拉
申请人：
申请人地址：
德国达姆施塔特
IPC主分类号：
C23C1604
IPC分类号：
C23C16455 C23C1602 C23C1606 H01L2102
代理机构：
北京安信方达知识产权代理有限公司 11262
代理人：
王璐美;武晶晶
法律状态：
公开
国省代码：
引用
下载
收藏
法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2022-09-02 公开 公开
2023-01-24 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 16/04 申请日:20210201
共 50 条
[1]
选择性形成含金属膜的方法 [P]. 
乔比·艾尔多 ;
雅各布·伍德拉夫 ;
肖恩·圣恩·洪（曾用名：洪圣恩） ;
拉文德拉·坎乔利亚 ;
查里斯·纳纳亚卡拉 ;
查尔斯·德泽拉 .
德国专利 :CN115003853B ,2025-03-07
[2]
用于选择性形成含金属膜的化合物及方法 [P]. 
查里斯·纳纳亚克拉 ;
乔比·艾尔多 ;
雅各布·伍德拉夫 ;
查尔斯·德泽拉 ;
洪圣恩 ;
拉文德拉·坎乔利亚 ;
丹尼尔·莫塞尔 ;
马克·波田 .
德国专利 :CN114746573B ,2024-05-10
[3]
用于选择性形成含金属膜的化合物及方法 [P]. 
查里斯·纳纳亚克拉 ;
乔比·艾尔多 ;
雅各布·伍德拉夫 ;
查尔斯·德泽拉 ;
洪圣恩 ;
拉文德拉·坎乔利亚 ;
丹尼尔·莫塞尔 ;
马克·波田 .
中国专利 :CN114746573A ,2022-07-12
[4]
金属膜的选择性沉积 [P]. 
尚陈 ;
俊晴渡会 ;
隆大小沼 ;
大石川 ;
邦年难波 .
中国专利 :CN109087885B ,2018-12-25
[5]
含金属膜的区域选择性沉积 [P]. 
让-马克·吉拉尔 ;
卢沅泰 ;
李柱昊 .
法国专利 :CN115176332B ,2025-08-01
[6]
金属膜的高选择性沉积方法 [P]. 
R·坎乔利亚 ;
M·蒙普尔 ;
J·伍德拉夫 ;
S·沃尔夫 ;
M·布里登 ;
S·T·乌达 ;
A·库梅尔 ;
A·阿努拉格 .
中国专利 :CN113166930A ,2021-07-23
[7]
金属膜的高选择性沉积方法 [P]. 
R·坎乔利亚 ;
M·蒙普尔 ;
J·伍德拉夫 ;
S·沃尔夫 ;
M·布里登 ;
S·T·乌达 ;
A·库梅尔 ;
A·阿努拉格 .
德国专利 :CN113166930B ,2024-07-12
[8]
选择性沉积高导电性金属膜的方法 [P]. 
P·S·H·陈 ;
B·C·亨德里克斯 ;
T·M·卡梅龙 .
美国专利 :CN118786240A ,2024-10-15
[9]
金属膜和金属膜的形成方法 [P]. 
加纳丈嘉 ;
川村浩一 .
中国专利 :CN101103138A ,2008-01-09
[10]
形成金属膜的方法 [P]. 
近藤春树 .
中国专利 :CN115505981A ,2022-12-23
12345